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~(233)U,~(235)U热中子裂变截面比值测量  CNKI文献

在中子晶体谱仪上利用背靠背裂变室测量中子能量为0.0253电子伏时的~(233)U,~(235)U裂变截面比值,得到的结果是σ_f(~(233)U)/σ_f(~(235)U)=0.916±0.018;同时根据已知的~(235)U热中子裂变截面值推算出~(233)的热...

贾温海 严武光 ... 《原子能科学技术》 1975年01期 期刊

关键词: 裂变截面 / 裂变室 / 晶体谱仪 / 电离室

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双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究  CNKI文献

本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线,并与国外有关实验结果作了比较。

蒋英杰 贾温海... 《核电子学与探测技术》 1996年01期 期刊

关键词: 脉冲中子源 / 瞬时退火效应 / 半导体器件

下载(48)| 被引(4)

用锰浴测定200毫居里Ra-α-Be中子源的绝对产额  CNKI文献

采用MnSO4水浴测量镭铍中子源的绝对产额.在4πβ-γ符合装置上精确标定少量强放射性MnSO4溶液的比放射性,并洒入未活化的锰浴中,从而刻度出浸没式γ-探测器的效率.对所测200毫居镭铍中子源,定出...

叶春堂 贾温海 ... 《物理》 1972年03期 期刊

关键词: 中子源 / 装置 / 辐射源 / 绝对产额

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加电状态下双极晶体管在脉冲中子辐照时瞬时退火规律的实验...  CNKI文献

本文介绍了脉冲中子辐照加电状态下双极晶体管的瞬时退火实验结果。实验采用改进的测试电路和方法。在国内首次观察到了双极晶体管3DK9D、2N1719和2N1613在加电状态下清晰的瞬时退火波形,给出了它们的瞬时退火因子曲线...

贾温海 蒋英杰 第9届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 1998-09-01 中国会议

关键词: 脉冲中子源 / 瞬时退火 / 半导体器件 / 加电状态

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不同中子辐射模拟源半导体器件辐射损伤等效关系  CNKI文献

由于半导体辐射损伤与中子能量相关,因此利用不同中子辐射模拟源开展半导体器件的中子辐射损伤效应研究时,必须确定不同源之间的损伤等效关系。采用理论和实验测定相结合的方法,确定了国内常用的几种中子模拟源的辐射...

贾温海 赵汝清... 中国工程物理研究院科技年报(2001) 2001-06-30 中国会议

关键词: 半导体器件 / 电子设备 / 中子辐射 / 直流放大系数

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商用高速54HC32器件辐射特性实验  CNKI文献

为了降低军用抗辐射电子系统的生产成本,提高效费比和拓展器件获取渠道,美国和欧洲等国近年来加强了对商用器件用于抗辐射电子系统的研究。主要研究了器件抗辐射性能与生产厂家、生产批次、晶片批、器件工作模式、生产...

贾温海 王旭利... 中国工程物理研究院科技年报(2002) 2002-06-30 中国会议

关键词: 器件 / 生产批次 / HC / 总剂量

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商用三端稳压器中子辐射特性实验  CNKI文献

三端稳压器已经成为武器电子系统不可缺少的一种器件,它为系统各种部、组件提供各种电压源,如+5,+9,?5,?9V等,但抗中子辐射的能力比较低,一般来说中子注量约1×1013n/cm2。研究各种商用三端稳压器的中子辐射特性能...

贾温海 杨有莉... 中国工程物理研究院科技年报(2003) 2003-06-30 中国会议

关键词: 稳压器 / 中子辐射 / 三端

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80C31单片机系统伽玛剂量率闭锁窗口现象  CNKI文献

CMOS工艺集成电路瞬时辐照效应损伤主要是闭锁效应,这是因为CMOS电路工艺中有 PNPN四层结构,在瞬时辐照下由于内部PN结产生的瞬时光电流会使器件产生闭锁。闭锁可以分成两种类型:第一类称为强闭锁,这种闭锁能维持下去...

杨怀民 赵汝请... 中国工程物理研究院科技年报(2000) 2000-06-30 中国会议

关键词: 单片机系统 / 剂量率 / 光电流

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快中子能区~(233)U裂变截面的测量  CNKI文献

利用背靠背裂变电离室在30千电子伏到5.6兆电子伏及14—18兆电子伏中子能区测量了~(233)U及~(235)U裂变截面的比值。并在500千电子伏及1兆电子伏两点定出了中子通量绝对值,从而给出了~(233)U与~(235)U裂变截面的绝对值...

严武光 叶宗垣 ... 《原子能科学技术》 1975年02期 期刊

关键词: 裂变截面 / 绝对值 / 电子 / 中子通量

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