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反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应  CNKI文献

简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一...

杜川华 詹峻岭... 《强激光与粒子束》 2006年02期 期刊

关键词: 反熔丝FPGA / 延时电路 / 辐射效应 / γ剂量率

下载(173)| 被引(16)

ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究  CNKI文献

描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能...

杜川华 詹峻岭... 《核电子学与探测技术》 2010年03期 期刊

关键词: ONO反熔丝 / 电离辐照 / FPGA / 电子-空穴对

下载(104)| 被引(4)

反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计  CNKI文献

针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊...

杜川华 詹峻岭... 《核电子学与探测技术》 2012年11期 期刊

关键词: 反熔丝现场可编程门阵列 / γ射线 / 瞬时电离辐射效应 / 铁电存储器

下载(71)| 被引(3)

模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术研究  CNKI文献

本文介绍了模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的国内外研究现状,以及获得的相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数...

王旭利 许献国... 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 2009-07-01 中国会议

关键词: 模数转换器 / 抗辐射 / 动态参数 / 测试技术

下载(61)| 被引(0)

荧光法测量复合屏蔽材料X射线透过率  CNKI文献

用7种纯材料做荧光靶,在荧光X射线装置上对复合屏蔽材料平板样品进行了X射线透过率实验测量,获得了100keV以下16个单能点的X射线透过率测量数据。根据材料对X射线的吸收规律,理论外推了100keV~200keV的X射线透过率。

詹峻岭 徐曦... 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 2009-07-01 中国会议

关键词: 射线源 / 不确定度 / 射线装置 / 实验测量

下载(20)| 被引(0)

荧光法测量复合屏蔽材料X射线透过率  CNKI文献

用7种纯材料做荧光靶,在荧光X射线装置上对复合屏蔽材料平板样品进行了X 射线透过率实验测量,获得了100keV以下16个单能点的X射线透过率测量数据。根据材料对 X射线的吸收规律,理论外推了100keV-200keV的X射线透过率。

詹峻岭 徐曦 中国工程物理研究院第七届电子技术青年学术交流会论文集 2005-11-01 中国会议

关键词: 核探测技术与核电子学 / 透过率 / X射线 / 复合材料

下载(34)| 被引(0)

ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究  CNKI文献

描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子—空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功...

杜川华 詹峻岭... 中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集... 2009-11-18 中国会议

关键词: ONO反熔丝 / 电离辐照 / FPGA / 电子-空穴对

下载(17)| 被引(0)

ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究  CNKI文献

描述了在受到电离辐照时,ONO薄膜内部电子—空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法,计算了不同能量光子辐照下,ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积,并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPG...

杜川华 詹峻岭 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 2009-07-01 中国会议

关键词: ONO反熔丝 / FPGA / 电离辐照 / 蒙特卡罗

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电源模块MJC12S3R3A的辐射性能研究  CNKI文献

本文主要介绍了一种军用DC/DC MAC12S3R3A的辐射性能,辐照试验结果表明该DC/DC抗剂量率的水平较高在10~9Gy(Si)/s左右;抗稳态总剂量率的水平也很高在1000Gy(Si)以上;抗中子辐照的能力比较差,不到0.85E+13n/cm~2。

赵刚 詹峻岭 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 2009-07-01 中国会议

关键词: 电源模块 / 辐照性能 / 剂量率 / 总剂量

下载(16)| 被引(0)

DC-DC电源模块与FPGAγ瞬时辐射效应试验  CNKI文献

电子系统所用的电子元器件大部分为CMOS/Si工艺,加电工作时对γ射线比较敏感, 并存在剂量率效应。电子系统加电工作时,除了功能模块本身的抗瞬时辐射能力需要考虑之外,其供电电源模块更需重点研究。另外,由于大规模集...

徐曦 詹峻岭... 中国工程物理研究院科技年报(2002) 2002-06-30 中国会议

关键词: 电源模块 / 瞬时辐射效应 / FPGA / DC-DC

下载(30)| 被引(0)

80C196KC单片机系统电离总剂量效应  CNKI文献

单片机系统大多由CMOS工艺的器件组成,对电离总剂量比较敏感,用于武器及空间系统时,必须考虑辐射环境对其性能的影响。为此,选择两套80C196KC单片机系统进行电离总剂量效应的试验研究。试验在中国科学院新疆理化研究所...

詹峻岭 徐曦... 中国工程物理研究院科技年报(2002) 2002-06-30 中国会议

关键词: 单片机系统 / 电离总剂量效应 / 总剂量 / KC

下载(11)| 被引(0)

N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应  CNKI文献

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响...

杨怀民 徐曦... 《核技术》 2006年03期 期刊

关键词: 辐射效应 / 电离总剂量 / 计算机芯片 / X射线剂量增强

下载(64)| 被引(7)

模数转换器的辐射性能及其试验测试技术研究  CNKI文献

介绍了国内外对模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的研究现状以及相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射...

王旭利 许献国... 《电子技术应用》 2009年04期 期刊

关键词: 模数转换器 / 抗辐射 / 动态参数 / 测试技术

下载(114)| 被引(4)

80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究  CNKI文献

研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯...

褚忠强 徐曦... 《微电子学》 2009年04期 期刊

关键词: 单片机系统 / 单元电路 / 总剂量辐照 / 剂量增强效应

下载(56)| 被引(1)

抗X射线复合涂层环境适应性研究  CNKI文献

介绍应用等离子喷涂设备制备抗 X 射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施。定量分析了复合涂层的化学成分,测量了复合涂层之间的结合力...

赵洪超 徐曦... 《信息与电子工程》 2004年03期 期刊

关键词: 核电子学 / 环境适应性 / 热喷涂 / 复合涂层

下载(35)| 被引(0)

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