作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

软土地基预压减沉与路堤防滑集成技术研究  CNKI文献

由于公路线路较长,经过路段地质条件相对复杂,公路建设中路基填料的来源十分有限,都使用优质填料的可能性不大,限于造价,往往就地取材成为必然选择。所以在傍河软土地区采用覆水预压法,对于砂、石、土等材料资源紧张而...

褚一鸣 导师:俞峰 浙江理工大学 2017-12-10 硕士论文

关键词: 软土 / 沉降 / 稳定性 / 生态护岸

下载(107)| 被引(0)

滨海软弱地基真空联合堆载法地基处理分析  CNKI文献

以舟山沿海填土区试验工点的软土为研究对象,进行了一系列现场试验。基于现场真空联合堆载预压试验,对沿海填土区软弱地基的总沉降、分层沉降、孔隙水压力和侧向位移进行了分析。结果表明:在沿海填土区软弱地基采用打...

褚一鸣 陈照亮... 《科技通报》 2018年07期 期刊

关键词: 软弱地基 / 土工试验 / 现场试验 / 沉降变形

下载(70)| 被引(0)

极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响  CNKI文献

本文研究了极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响.发现两种小晶面的显著区别.电子探针分析表明:砷小晶面中的Te含量比Ga 小晶面高,As小晶面区和Ga小晶面区的Te含量与本体区Te含量之比分别为3-7和1.3—2.5.而且仅在As...

褚一鸣 何宏家... 《半导体学报》 1981年02期 期刊

关键词: 晶面 / 晶种 / GaAs / 二维成核

下载(32)| 被引(1)

蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象  CNKI文献

蓝宝石—硅外延(SOS)材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大(约10%),在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对...

褚一鸣 昝育德... 《电子显微学报》 1984年04期 期刊

关键词: 蓝宝石 / 刚玉 / SOS / 硅外延层

下载(38)| 被引(0)

纳米硅薄膜界面结构的微观特征  CNKI文献

对使用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)制备的纳米硅薄膜(nc-Si:H),使用HREM及STM技术观测了其显微结构,给出大量的界面结构图象.首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况.使我们认识...

何宇亮 褚一鸣... 《半导体学报》 1994年01期 期刊

关键词: 纳米硅薄膜 / 图象 / 界面结构 / 等离子体增强化学汽相沉积

下载(411)| 被引(19)

精确测定高分辨电子显微像中亮点位置的图像处理方法  CNKI文献

本文提出了一些实用的高分辨原子像分割及定位方法。原子像分割由提取原子像的谷位网络实现。原子像亮点定位可由像素点灰度峰值检测法或局部像素点灰度平均法完成。这些方法都基于计算机图像处理技术在原子像分析中的...

王绍青 褚一鸣... 《电子显微学报》 1994年02期 期刊

关键词: 高分辨原子像 / 计算机图像处理 / 图像分割

下载(132)| 被引(1)

原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察  CNKI文献

本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型...

钱家骏 褚一鸣... 《半导体学报》 1984年04期 期刊

关键词: 位错环 / 堆垛层错 / 透射电子显微镜 / 层错

下载(75)| 被引(3)

LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷  CNKI文献

在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿<110>方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解...

何晖 褚一鸣... 《半导体学报》 1986年04期 期刊

关键词: 胞状生长 / In-GaAs / 组分过冷 / 位错

下载(8)| 被引(0)

对BiTeSe的隧道扫描显微镜观察  CNKI文献

扫描隧道显微镜(术)STM,使得以原子尺度的分辨率对物质表面进行实空间,实时的观察成为可能。碲化铋为层状晶体,属三角晶系,空间群为D_(3d)~5(R_(3m)~-)。它的每一层内包含五个原子亚层,其顺序是T_e—Bi—T_e—Bi—T_e...

何良 褚一鸣... 《电子显微学报》 1990年03期 期刊

关键词: 原子 / Te / 石墨 / 非真空

下载(51)| 被引(0)

用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶  CNKI文献

由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得...

陈弘 褚一鸣... 《电子显微学报》 1990年03期 期刊

关键词: 孪晶 / HREM / 外延层 / 质量

下载(30)| 被引(0)

玻璃分相的电子能量损失谱研究  CNKI文献

一、引言:玻璃中液-液分相是材料科学工作者很感兴趣的问题。因为分相在很多玻璃形成系统中发生并影响其微观结构与性质。可应用之于制造微晶玻璃,光色玻璃,微孔玻璃等,亦可因之而造成材料的缺陷使材料质量性质下降。...

陈全庆 褚一鸣... 《电子显微学报》 1991年04期 期刊

关键词: 玻璃分相 / 成象 / 分相区 / 透射电镜

下载(46)| 被引(0)

LPE G_(al-x)Al_xA_s/G_aA_s界面缺陷观察  CNKI文献

本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,用高阶衍射明场和弱束暗场技术,观察到界面...

梁骏吾 褚一鸣... 《电子显微学报》 1984年02期 期刊

关键词: 位错网络 / 形貌 / TEM / LPE

下载(20)| 被引(0)

纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟  CNKI文献

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结...

林鸿溢 武旭辉... 《物理学报》 1996年04期 期刊

关键词: 纳米硅薄膜 / 纳米结构 / 功率源 / 分形

下载(158)| 被引(13)

软土傍河路堤安全性评价及加固措施研究  CNKI文献

滨海路基土工程性质较差,进行路堤填筑时易造成路堤坍塌。当路堤坡角处有河道或灌溉水渠时,坡角处地基承载力下降更易造成路堤失稳。通过二维有限元建模分析,对排水固结、路堤坡率等参数对路堤安全的影响进行了分析评...

刘念武 陈照亮... 《科技通报》 2018年10期 期刊

关键词: 路堤 / 安全系数 / 河堤 / 管桩

下载(28)| 被引(1)

玻璃分相的电子能量损失谱研究  CNKI文献

一、引言:玻璃中液-液分相是材料科学工作者很感兴趣的问题。因为分相在很多玻璃形成系统中发生并影响其微观结构与性质。可应用之于制造微晶玻璃,光色玻璃,微孔玻璃等,亦可因之而造成材料的缺陷使材料质量性质下降。...

陈全庆 褚一鸣... 海峡两岸电子显微学讨论会论文专集 1991-03-01 中国会议

关键词: 玻璃分相 / 分相区 / 透射电镜 / 成象

下载(17)| 被引(0)

基于定量原子像图像分析的InSb/GaAs半导体界面原子结构模型  CNKI文献

由于 InSb/GaAs 半导体材料在半导体器件研制与生产中的重要用途,长期以来对该两相半导体界面物性的研究一直是固体材料结构研究中的一个重要方面。本文工作利用由我们近期开发的高分辨原子像定量分析计算机图像处理软...

王绍青 孟祥敏... 第八次全国电子显微学会议论文摘要集(Ⅱ) 1994-10-01 中国会议

关键词: InSb/GaAs / 半导体界面 / 高分辨原子像 / 原子结构模型

下载(21)| 被引(0)

用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶  CNKI文献

由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得...

陈弘 褚一鸣... 第六次全国电子显微学会议论文摘要集 1990-10-01 中国会议

关键词: 孪晶 / HREM / 双晶体 / GaAs/Si

下载(19)| 被引(0)

对BiTeSe的隧道扫描显微镜观察  CNKI文献

扫描隧道显微镜(术)STM,使得以原子尺度的分辨率对物质表面进行实空间,实时的观察成为可能。碲化铋为层状晶体,属三角晶系,空间群为D_(3d)~5(R_(3m)~-)。它的每一层内包含五个原子亚层,其顺序是T_e—Bi—T_e—Bi—T_e...

何良 褚一鸣... 第六次全国电子显微学会议论文摘要集 1990-10-01 中国会议

关键词: 原子 / Te / 分子 / 石墨

下载(14)| 被引(0)

蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象  CNKI文献

蓝宝石—硅外延(SOS)材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大(约10%),在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对...

褚一鸣 昝育德... 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二) 1983-06-30 中国会议

关键词: 蓝宝石 / 刚玉 / 硅外延层 / SOS

下载(10)| 被引(0)

MoCVD GaAs外延层中“布纹状”缺陷分析  CNKI文献

金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)是半导体材料生长的一门新技术,MOCVD材料在半导体激光器等方面有着重要作用。本文用的材料是生长在掺In半绝缘GaAs上的GaAs外延膜。用扫描电镜的阴极荧光(CL)模式观察,发现有大量黑线...

姜彤弼 李成基... 第五次全国电子显微学会议论文摘要集 1988-10-01 中国会议

关键词: 外延层 / 布纹 / MoCVD / GaAs

下载(15)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势

热门学者(按发文篇数排行)

相关机构

轻松读懂《孙子兵法》