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宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展  CNKI文献

本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用...

范希武 《发光学报》 2002年04期 期刊

关键词: Ⅱ-Ⅵ族半导体 / 低维结构 / 光学性质

下载(412)| 被引(15)

以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性  CNKI文献

用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理...

范希武 单崇新... 《发光学报》 2005年01期 期刊

关键词: CdSe量子点 / ZnCdSe量子点 / ZnSeS量子点 / 量子点的形成

下载(195)| 被引(2)

横山明聪优秀研究生奖学金  CNKI文献

横山明聪现任台湾义守大学教授、大日本印刷株式会社终身顾问等职,曾任日本长岗技术科学大学教授、日本精机株式会社董事、台湾成功大学教授等职。横山明聪教授长期从事无机和有机电致发光材

范希武 王静轩 《发光学报》 2011年09期 期刊

关键词: 奖学金 / 明聪 / 长春 / 奖金

下载(62)| 被引(0)

ZnSe蓝色半导体发光和激光器件的研究进展  CNKI文献

阐述了研制蓝色半导体发光和激光器件在光电子技术发展中的重要性,通过对ZnSe半导体发光和激光器件发展过程的评论,说明了获得p型ZnSe所遇到的困难和解决的途径。介绍了近期在获得高导电p型ZnSe层方面...

范希武 吕有明 《物理》 1994年07期 期刊

关键词: ZnSe / 蓝色发光二极管 / 蓝色半导体激光器

下载(118)| 被引(3)

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究  CNKI文献

用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在A...

范希武 于广友... 《发光学报》 2000年04期 期刊

关键词: ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 / 激子隧穿 / 受激发射

下载(56)| 被引(4)

横山明聪优秀研究生奖学金20周年纪念会纪要  CNKI文献

由中科院长春光学精密机械与物理研究所、发光学及应用国家重点实验室和中国物理学会发光分会联合主办的横山明聪优秀研究生奖学金20周年纪念会于7月5日在长春光机所召开。东北师范大学刘益春校长、吉林师范大学杨景海...

范希武 赵东旭... 《发光学报》 2012年09期 期刊

关键词: 研究生 / 明聪 / 奖学金 / 奖金

下载(32)| 被引(0)

气相外延ZnSe单晶膜室温蓝色发射的复合过程  CNKI文献

随着激发密度的增加,ZnSe外延单晶膜的室温蓝带Es′(~4650?)表现出红移和展宽,其行为与77K时得到的相一致。在200—300K温度范围内,测得Es′谱带的热激活能为19meV,它与ZnSe晶体自由激子的束缚能20meV十分接近。上述...

范希武 汤子康... 《发光学报》 1986年04期 期刊

关键词: 载流子 / 自由激子 / ZnSe / 离子激光器

下载(32)| 被引(6)

中国物理学会发光分会第9届委员会(2004~2007)工作报告  CNKI文献

我受中国物理学会发光分会第9届委员会的委托作工作报告,报告分为三个部分即:一、历史的回顾;二、任期内的工作报告;三、建议和期望。一、历史的回顾发光学会第9届委员会是承上启下的一届委员会,自发光学会第10届委员...

范希武 《发光学报》 2007年06期 期刊

关键词: 中国物理学会发光分会 / 物理类 / 学科领域 / 稀土发光

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发光学讲座第三讲 电致发光  CNKI文献

电致发光是将电能直接转换成光能的一类发光现象.能够产生电致发光的固体材料很多,但研究得较多且能达到实用水平的,主要是化合物半导体,它包括Ⅲ-V,Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅳ族的二元和三元化合物.电致发光按其材料的形态分类,有...

范希武 《物理》 1990年04期 期刊

关键词: 电致发光 / 发光材料 / 显示屏 / 场致发光

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中国发光学的开创者和奠基人———徐叙瑢院士  CNKI文献

今年 4月 2 3日是我国发光学的开创者和奠基人———徐叙院士 80寿辰。徐叙院士是我刊《发光学报》的创始人 ,历届主编 ,现名誉主编。本刊特转载此文 ,代表全国发光学界向徐叙院士 80华诞表示祝贺

范希武 《发光学报》 2002年02期 期刊

关键词: 发光学 / 会议 / 奠基人 / 开创者

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宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展  CNKI文献

本文简要介绍了我们在宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果;第一.明确提出并实现了利用宽带Ⅱ—Ⅵ族晶体直接带跃迁来获得在室温和电场激发下自由激子发射的物理思想;第二,提出并实现...

范希武 《光机电信息》 2000年04期 期刊

关键词: 半导体超晶格 / 电场 / 物理思想 / 电磁场

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Ⅱ-Ⅵ族单晶和粉末材料中的电致发光机理  CNKI文献

本文首先综述了在Ⅱ—Ⅵ族单晶材料中电致发光的激发和复合机理。然后介绍了在ZnS型粉末材料中交流和直流激发的电致发光机理。

范希武 《发光与显示》 1982年01期 期刊

关键词: 电致发光 / 发光机理 / 场致发光 / 粉末材料

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ZnSe肖特基发光二极管  CNKI文献

本文叙述了ZnSe肖特基发光二极管的制备和性能,并对影响发光亮度和效率的因素进行了讨论。文中提出了与降阻热处理同时进行杂质热处理的方法,提出了ZnSe肖特基发光二极管的结构思想,初步确定了制管工艺流程,测量了发光...

范希武 吕安德... 《国外发光与电光》 1979年Z1期 期刊

关键词: 发光二极管 / 结型发光器件 / 肖特基 / 反向偏压

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Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性  CNKI文献

现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延...

范希武 申德振 《发光快报》 1990年S1期 期刊

关键词: 自由激子 / 轻空穴 / GaAs / 激子吸收

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与Ⅱ—Ⅵ族有关的异质结的场致发光  CNKI文献

异质结通常是指二种不同能带结构的材料组合时,在其界面所形成的结。早期异质结的概念一般限于二种材料都是半导体,现在异质结的概念已扩展到材料之一可以是金属或绝缘体。 异质结的分类有几种。一种是按结的变化程度...

范希武 《国外信息显示》 1973年Z1期 期刊

关键词: 异质结 / 同质结 / ZnTe / ZnS

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蓝色发光二极管的进展  CNKI文献

一引言半导体发光二极管(LED)是一种新颖的固态光源,是目前广泛使用的一种发光器件。它主要用于家用电器,仪器仪表,录像机,计算机及其外围设备等的显示;传真机,印刷机,影印机和局部网络的光源;户外设备指示器,光通信系...

范希武 张吉英 《发光快报》 1991年04期 期刊

关键词: GaN / LED / 发光波长 / nm

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CdS单晶中的绿色电致发光和光致发光  CNKI文献

在50—290K温度范围内,研究了在正向电压激发下,用高纯CdS单晶制备的MIS发光二极管的电致发光光谱。在室温时,发射光谱分别由峰值为5135±25和5300±15的二个绿色谱带所组成,而在低温下,观测到有很多结构的光...

范希武 J... 《发光与显示》 1982年03期 期刊

关键词: 光致发光 / 晶体 / 场致发光 / 自由激子

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ZnSe—Mn的高场发光  CNKI文献

本文试图从ZnSe:Mn,的场致发光亮度与效率在不同电压激发阶段上,特别是在相当高电压激发时的变化规律,研究它的高场发光机理。文中以碘化学输运法生长的优质ZnSe单晶所制备的ZnSe:Mn肖特基发光二极管作为样品,得到了大...

范希武 徐叙瑢 《国外发光与电光》 1979年Z1期 期刊

关键词: 碰撞离化 / 肖特基 / 高亮度 / 高效率

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埸致发光  CNKI文献

将一种发光材枓置于两个平行的平板电极间(其中一个电极必需是透明的),在两个电极上加上电压就能发出光来的现象称为场致发光。图1为场致发光的示意图。早在1923年,

范希武 《物理通报》 1961年03期 期刊

关键词: 发光材料 / 光电导材料 / 外加电压 / 碰撞离化

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开展心理健康教育活动 培养高素质的创新人才  CNKI文献

农村中学生由于家庭环境、经济状况、社会氛围等诸方面的影响,容易产生各种各样的心理问题,会严重影响其身心健康。因此,在农村中学开展心理教育活动势在必行、刻不容缓。近年来,我校充分重视心理健康教育的作用,并把...

范希武 韩吉春 《黑河教育》 2002年01期 期刊

关键词: 心理健康教育 / 心育课 / 中学生 / 创新人才

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