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离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究  CNKI文献

室温下,用80keVN+和400keVXe+离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×1014—1.0×1017/cm2和2.0×1014—5.0×1015/cm2.利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随...

臧航 王志光... 《物理学报》 2010年07期 期刊

关键词: ZnO薄膜 / 离子注入 / 拉曼光谱

下载(539)| 被引(18)

单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC的常温辐照肿胀差异性  CNKI文献

SiC具有耐辐射、低感生放射性、耐高温等特点,在先进核能系统中具有重要的应用.用1.5 MeV的Si离子在常温下注入单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC,注量分别为1×10~(14)—2×10~(16)cm~(-2)和1×10~(15)—...

臧航 黄智晟... 《物理学报》 2017年06期 期刊

关键词: 碳化硅 / 晶界 / 非晶化阈值 / 辐照肿胀测量

下载(93)| 被引(2)

80keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响  CNKI文献

室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0&...

臧航 王志光... 《原子核物理评论》 2010年01期 期刊

关键词: ZnO薄膜 / N离子注入 / X射线衍射 / 透射电镜

下载(172)| 被引(3)

射频磁控溅射制备ZnO薄膜及其高能Xe离子辐照改性(英文)  CNKI文献

Zinc oxide(ZnO)films were deposited on(100)silicon or glass substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering in a mixture gas(Ar:O_2=3:2).Substrate temperature,sputtering power and time were re...

臧航 《IMP & HIRFL Annual Report》 2006年00期 期刊

关键词: ZnO / Xe

下载(42)| 被引(0)

离子注入引起的ZnO薄膜结构变化的研究(英文)  CNKI文献

In this work,ZnO film was implanted at room temperature with 80 keV N+ to 5.0×1015 ions/cm2. By use of a transmission electron microscopy(TEM),the structure of the film was investigated and then...

臧航 《IMP & HIRFL Annual Report》 2008年00期 期刊

关键词: TEM / ZnO

下载(35)| 被引(0)

离子注入引起的ZnO薄膜结构变化的研究(英文)  CNKI文献

Zinc oxide(ZnO) films were deposited on(100) silicon substrate by radio frequency magnetron sputtering. These ZnO films were implanted at room temperature(RT) with 80 keV N ions to fluences of 5.0

臧航 《IMP & HIRFL Annual Report》 2008年00期 期刊

关键词: ZnO / mode

下载(34)| 被引(0)

浅谈计算机在教学中的作用发挥  CNKI文献

随着现代科技的飞速发展,计算机已在许多中小学应用,但如何充分发挥计算机在课堂教学中的辅助作用,是当前值得认真研究的问题。 一、努力提高对计算机辅助教学作用的认识 近两三年,有条件的中小学都引进了计算机,但辅...

臧航 《普教研究》 1997年05期 期刊

关键词: 计算机辅助教学 / 画面 / 课文 / 计算机辅助学习系统

下载(32)| 被引(0)

醉进东钱湖的六副容颜  CNKI文献

“这里天蓝蓝,这里风绵绵;这里花艳艳,这里水甜甜。湖泊让生活更美好,这里是快乐幸福的水岸。”$$ ——《幸福水岸》$$ “我宣布:第五届中国湖泊休闲节开幕。”8月23日,在300多名游客的掌声中,宁波市副市长...

臧航 杨亮庆 中国青年报 2013-08-30 报纸

关键词: 东钱湖 / 节事活动 / 水岸 / 休闲旅游业

下载(0)| 被引(0)

南宋石刻文化,东钱湖的灵魂  CNKI文献

“文化就是灵魂,人类不只是由物质生成的,到一定阶段,人类需要文化来净化心灵,让灵魂在竞争激烈、压力巨大的情况下得到安慰。文化,无论在哪一类活动或经济产品开发中都处于核心地位,最具有长远和可持续发展性。...

臧航 杨亮庆 中国青年报 2013-08-30 报纸

关键词: 东钱湖 / 石刻 / 产品开发 / 南宋时期

下载(1)| 被引(0)

硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究  CNKI文献

本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法,研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和演化过程;基于Shockley-Read-Hall理论计算了单个粒子入射引起的位移损伤缺陷导致的泄漏电流增加及其演化过程,比较了缺...

唐杜 贺朝会... 《物理学报》 2016年08期 期刊

关键词: 位移损伤 / 缺陷 / 退火因子 / 泄漏电流

下载(121)| 被引(6)

不同体质受试者温度觉得分与穴位生物电信号值的相关性  CNKI文献

目的观察不同中医体质人群中医体质量表中相关温度觉得分及穴位生物电信号特征,并探讨二者的相关性。方法 79例受试者采用中医体质分类与判定量表分别筛选符合典型阳虚质、阴虚质和平和质的转化分数人群分别为32例、2...

肖克 赵燕平... 《中医杂志》 2017年20期 期刊

关键词: 阳虚质 / 阴虚质 / 平和质 / 中医体质量表

下载(137)| 被引(2)

GaN中质子辐照损伤的分子动力学模拟研究  CNKI文献

本文利用分子动力学方法研究了GaN在质子辐照下的损伤。对不同能量(1~10 keV)初级离位原子(PKA)引起的级联碰撞进行了研究,分析了点缺陷与PKA能量的关系、点缺陷随时间的演化规律、点缺陷的空间分布及点缺陷团簇的尺...

何欢 贺朝会... 《原子能科学技术》 2019年06期 期刊

关键词: 分子动力学 / GaN / 点缺陷 / 辐照损伤

下载(141)| 被引(0)

Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤  CNKI文献

利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程,计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目,获得了14.1MeV中子产生的位移缺陷分布。研究了中子产生位移损伤过程的影响要素,分析了弹性散射与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献...

郭达禧 贺朝会... 《原子能科学技术》 2013年07期 期刊

关键词: 中子 / 碳化硅 / 位移损伤 / Geant4

下载(307)| 被引(3)

射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性  CNKI文献

用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W...

朋兴平 王志光... 《中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)》 2007年02期 期刊

关键词: ZnO薄膜 / X射线衍射谱 / 光致发光谱 / 衬底温度

下载(223)| 被引(18)

硅材料和二极管的单粒子位移损伤的多尺度模拟研究  CNKI文献

基于二体碰撞近似理论(BCA),应用分子动力学(MD)和动力学蒙特卡罗(KMC)方法相结合的多尺度模拟方法,研究了单粒子位移损伤(SPDD)缺陷及电流的演化过程。研究结果表明,SPDD事件中引起的缺陷在10~6 s内分为3个阶段:阶段...

贺朝会 唐杜... 《原子能科学技术》 2019年10期 期刊

关键词: 位移损伤 / 多尺度模拟 / 单粒子效应 /

下载(47)| 被引(0)

超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算  CNKI文献

提出了一种计算超低泄漏电流硅二极管的单粒子位移损伤电流的方法。采用SRIM软件计算了252Cf源的裂变碎片入射二极管产生的初级撞出原子的分布,并采用Shockley-Read-Hall复合理论探讨了单粒子位移损伤电流值与缺陷参数...

唐杜 贺朝会... 《强激光与粒子束》 2016年02期 期刊

关键词: 单粒子位移损伤 / 泄漏电流 / 初级撞出原子 / 缺陷

下载(69)| 被引(1)

4MeV Kr离子辐照对6H-SiC力学性能影响的研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)及其复合材料因其良好的力学性能、高温稳定性、低感生放射性及高热导率使其成为核能系统中重要的结构材料,因此利用重离子模拟中子在SiC材料中的辐照损伤,研究不同辐照温度下,高损伤辐照实验后SiC力学性能...

臧航 贺朝会... 第六届反应堆物理与核材料学术研讨会第三届核能软件自主化研... 2013-08-12 中国会议

关键词: 离子辐照 / SiC / 力学性能 / Kr

下载(53)| 被引(1)

高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响  CNKI文献

利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O_2=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重离子加速器 HIR...

臧航 王志光... 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 2007-09-01 中国会议

关键词: 发光特性 / RBS / Xe / ZnO

下载(23)| 被引(0)

锆合金中载能重离子辐照损伤效应研究  CNKI文献

核能是人类未来能源战略发展的重要方向。由于反应堆中材料长期工作于苛刻的粒子辐射环境,严重的辐射损伤效应如辐照肿胀、蠕变、辐照硬化和脆化、相偏析等成为影响反应堆安全运行和制约未来新型核能发展的瓶颈。因此...

姚存峰 王志光... 第四届全国反应堆物理与核材料学术研讨会论文集 2009-11-23 中国会议

关键词: 纳米压痕技术 / 辐照损伤 / 辐射损伤 / 生物辐射效应

下载(161)| 被引(0)

高能重离子辐照引起注碳SiO_2发光的电子能损效应研究  CNKI文献

氧化硅是制备硅基高速微电子器件、低压/低功耗器件、抗辐照电路、高温电子学器件、微机械和光通信器件等的重要原材料,在微电子工业和光纤通讯等领域具有十分广泛的用途。因此,氧化硅的改性研究一直是受关注的热点。...

刘纯宝 王志光... 第三届反应堆物理与核材料学术研讨会论文集 2007-12-01 中国会议

关键词: 高能重离子 / 电子能损 / 离子辐照 / 光致发光特性

下载(23)| 被引(0)

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