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电荷耦合器件质子辐照损伤实验及数值模拟研究  CNKI文献

电荷耦合器件(CCD)作为航天器成像系统中的核心元器件,遭受空间质子辐照损伤的问题备受关注,国内相关研究开展的较少,论文根据我国CCD辐射效应研究现状和存在的空白与不足,在国内率先开展了CCD不同能量质子辐照...

王祖军 导师:刘以农 清华大学 2011-05-01 博士论文

关键词: 电荷耦合器件 / 质子辐照 / 位移损伤 / 电离损伤

下载(720)| 被引(7)

CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应  CNKI文献

互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发...

王祖军 林东生... 《半导体光电》 2014年06期 期刊

关键词: CMOS / APS / 位移效应 / 总剂量效应

下载(289)| 被引(12)

CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展  CNKI文献

CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodio...

王祖军 刘静... 《半导体光电》 2017年01期 期刊

关键词: CMOS图像传感器 / 总剂量效应 / 辐照损伤 / 抗辐射加固技术

下载(299)| 被引(6)

CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展  CNKI文献

综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压和电荷转移效率等敏感参数的退化机制;从制造工艺、器件结构、工作模式等方面介绍了CCD...

王祖军 唐本奇... 《半导体光电》 2009年06期 期刊

关键词: 电荷耦合器件 / 辐射效应 / 损伤机理 / 暗电流

下载(435)| 被引(13)

CCD位移辐射效应损伤机理分析  CNKI文献

研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理。分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响。研究了位移损伤导致CCD电荷转移效率降低、体暗电流密度增大、暗电流尖峰以及随机电码信号(RTS)出现的规律和机理。

王祖军 黄绍艳... 《半导体光电》 2010年02期 期刊

关键词: CCD / 位移辐射 / 缺陷能级 / 电荷转移效率

下载(311)| 被引(14)

质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析  CNKI文献

开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究.分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度.通过开展辐射粒子输运理论...

王祖军 唐本奇... 《物理学报》 2010年06期 期刊

关键词: 电荷耦合器件 / 质子 / 辐照效应 / 电荷转移效率

下载(162)| 被引(8)

CCD电离辐射效应损伤机理分析  CNKI文献

研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电...

王祖军 唐本奇... 《核电子学与探测技术》 2009年03期 期刊

关键词: CCD电离辐射 / 平带电压 / 表面暗电流 / 饱和输出电压

下载(274)| 被引(12)

CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法  CNKI文献

针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子...

王祖军 薛院院... 《现代应用物理》 2016年04期 期刊

关键词: CCD / 空间辐射效应 / 总剂量效应 / 位移效应

下载(144)| 被引(3)

辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析  CNKI文献

研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射...

王祖军 刘以农... 《核电子学与探测技术》 2010年02期 期刊

关键词: CCD / 辐射损伤 / 体缺陷 / 敏感参数

下载(169)| 被引(10)

社区高血压慢病管理模式对老年高血压患者血压波动的影响效...  CNKI文献

目的:探讨高血压慢病管理模式对社区老年高血压患者血压波动的影响。方法:2017年8月-2019年2月收治社区老年高血压患者254例,随机分为两组各127例。研究组采用高血压慢病管理模式;参照组采用常规管理模式。分析两组患...

王祖军 赵小波 《中国社区医师》 2019年23期 期刊

关键词: 高血压 / 老年患者 / 血压波动 / 高血压慢病管理模式

下载(112)| 被引(0)

中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟  CNKI文献

分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极...

王祖军 陈伟... 《原子能科学技术》 2010年02期 期刊

关键词: PIN光电二极管 / 中子辐照 / 暗电流 / 数值模拟

下载(217)| 被引(6)

质子辐照CCD诱发暗信号增大  CNKI文献

质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模拟计算,得出了质子辐照电离损伤诱发CCD表面暗信号随辐照注量增大的变化规律;建立了质...

王祖军 刘以农... 《清华大学学报(自然科学版)》 2010年09期 期刊

关键词: 电荷耦合器件(CCD) / 质子 / 暗信号 / 电离损伤

下载(161)| 被引(3)

电离辐照诱发面阵电荷耦合器暗信号增大试验  CNKI文献

针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随...

王祖军 罗通顶... 《中国空间科学技术》 2014年04期 期刊

关键词: 面阵电荷耦合器件 / 电离辐照 / 暗信号 / 退火

下载(44)| 被引(3)

TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析  CNKI文献

研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受...

王祖军 张勇... 《电子器件》 2010年01期 期刊

关键词: 线阵CCD / 总剂量效应 / 暗信号电压 / 饱和输出电压

下载(122)| 被引(6)

基于EMVA1288标准的图像传感器辐照效应参数测试系统的研制  CNKI文献

提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证。验证试验...

王祖军 薛院院... 《半导体光电》 2017年04期 期刊

关键词: 光电图像传感器 / 辐照效应 / 测试系统 / EMVA1288国际标准

下载(60)| 被引(0)

SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析  CNKI文献

分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电...

王祖军 刘书焕... 《电子器件》 2009年03期 期刊

关键词: SiGe / HBT / 电流增益 / 截止频率

下载(188)| 被引(3)

1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟  CNKI文献

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HB...

王祖军 刘书焕... 《核电子学与探测技术》 2010年03期 期刊

关键词: SiGe / HBT / 中子辐照 / 缺陷能级

下载(192)| 被引(1)

GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟  CNKI文献

简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013~1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电...

王祖军 唐本奇... 《核电子学与探测技术》 2005年01期 期刊

关键词: GaAs / 太阳电池 / 辐射效应 / MEDICI

下载(171)| 被引(4)

硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟  CNKI文献

分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100~109G...

王祖军 刘以农... 《半导体光电》 2009年05期 期刊

关键词: PIN光电二极管 / 电离脉冲辐射 / 光电流 / 数值模拟

下载(181)| 被引(2)

Simulation for signal charge transfer of charge couple...  CNKI文献

Physical device models and numerical processing methods are presented to simulate a linear buried channel charge coupled devices (CCDs).The dynamic transfer process of CCD is carried out by a three-p...

王祖军 刘以农... 《半导体学报》 2009年12期 期刊

关键词: CCD / CTE / dark / signal

下载(86)| 被引(2)

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