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质子和中子在硅中位移损伤等效性计算  CNKI文献

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟...

王园明 郭晓强... 《强激光与粒子束》 2013年07期 期刊

关键词: 中子 / 质子 / / 反冲原子

下载(201)| 被引(7)

质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算  CNKI文献

研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面...

王园明 陈伟... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

关键词: 质子 / 有效体积 / 单粒子翻转截面 / 多位翻转截面

下载(173)| 被引(6)

直接数字式频率合成器单粒子效应实验研究  CNKI文献

在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波...

王园明 阮林波... 《强激光与粒子束》 2016年10期 期刊

关键词: 直接数字式频率合成器 / 单粒子效应 / 波形扰动 / 功能中断

下载(34)| 被引(2)

TD–SCDMA室内分布系统精细化设计  CNKI文献

根据用户的生活习惯和数据业务的行为分析,绝大多数的3G业务量将会发生在室内,室内业务将是3G竞争的主要战场。文章从介绍室内分布系统的发展、室内信号转播的理论、天线口功率规划等方面入手,介绍了如何进行TD-SCDMA...

王园明 栗永军 《电信快报》 2010年04期 期刊

关键词: 室内分布系统 / 穿透损耗 / 天线口功率 / 边缘场强

下载(82)| 被引(2)

SRAM single event upset calculation and test using pro...  CNKI文献

The protons in the secondary beam in the Beijing Electron Positron Collider(BEPC) are first analyzed and a large proportion at the energy of 50-100 MeV supply a source gap of high energy protons.In t...

王园明 郭红霞... 《半导体学报》 2011年09期 期刊

关键词: BEPC / proton / SRAM / single

下载(66)| 被引(0)

CMMB系统与GSM系统间干扰分析  CNKI文献

主要阐述CMMB(中国移动多媒体广播)系统和GSM(全球移动通讯系统)的组网情况及主要干扰类型,分析两个系统共址情况下系统之间的主要干扰情况,对各种干扰类型进行详细分析,提出系统之间隔离度的计算方法,从而规避系统之...

王园明 《电信快报》 2012年11期 期刊

关键词: CMMB / GSM / 干扰 / 隔离度

下载(15)| 被引(0)

Geant4在中子辐射效应中的应用  CNKI文献

中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移...

金晓明 王园明... 《原子能科学技术》 2012年S1期 期刊

关键词: 中子辐射效应 / 电离能量沉积 / 非电离能量沉积 / 原子空位

下载(256)| 被引(3)

静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟  CNKI文献

针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子...

张科营 郭红霞... 《物理学报》 2009年12期 期刊

关键词: 三维数值模拟 / 单粒子翻转 / 微束 / 宽束

下载(330)| 被引(15)

亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究  CNKI文献

利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线...

郭红霞 罗尹虹... 《原子能科学技术》 2010年12期 期刊

关键词: 静态随机存储器 / 多位翻转 / 重离子加速器

下载(252)| 被引(20)

纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究  CNKI文献

器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随...

罗尹虹 张凤祁... 《物理学报》 2015年21期 期刊

关键词: 质子 / 纳米随机静态存储器 / 单粒子多位翻转 / 角度效应

下载(93)| 被引(2)

Synergistic effects of total ionizing dose on single e...  CNKI文献

Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with...

肖尧 郭红霞... 《Chinese Physics B》 2014年11期 期刊

关键词: single / event / upset / total

下载(43)| 被引(2)

SRAM激光微束单粒子效应实验研究  CNKI文献

结合器件版图,通过对2 k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行测试...

罗尹虹 郭红霞... 《微电子学》 2010年03期 期刊

关键词: SRAM / 激光微束 / 单粒子效应 / 等效LET阈值

下载(242)| 被引(6)

Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制  CNKI文献

研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原...

王忠明 闫逸华... 《原子能科学技术》 2015年12期 期刊

关键词: 单粒子效应 / Flash型FPGA / 单粒子瞬态

下载(93)| 被引(3)

特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响  CNKI文献

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷...

张科营 郭红霞... 《原子能科学技术》 2010年02期 期刊

关键词: 特征尺寸 / 临界电荷 / LET阈值 / 单粒子翻转

下载(363)| 被引(4)

Geant4在中子辐射效应中的应用  CNKI文献

中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移...

金晓明 王园明... 第八届(2012年)北京核学会核应用技术学术交流会论文集 2012-10-16 中国会议

关键词: 中子辐射效应 / 电离能量沉积 / 非电离能量沉积 / 原子空位

下载(27)| 被引(0)

Pattern dependence in synergistic effects of total dos...  CNKI文献

The pattern dependence in synergistic effects was studied in a 0.18 μm static random access memory(SRAM) circuit.Experiments were performed under two SEU test environments:3 Me V protons and heavy i...

郭红霞 丁李利... 《Chinese Physics B》 2016年09期 期刊

关键词: pattern / dependence / total / dose

下载(12)| 被引(1)

GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究  CNKI文献

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移...

王燕萍 罗尹虹... 《固体电子学研究与进展》 2011年06期 期刊

关键词: 氮化镓 / 高电子迁移率晶体管 / 中子辐照

下载(150)| 被引(1)

Impacts of test factors on heavy ion single event mult...  CNKI文献

Single event multiple-cell upsets(MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on th...

罗尹虹 张凤祁... 《Journal of Semiconductors》 2015年11期 期刊

关键词: multiple-cell / upsets / nanometer-scale / SRAM

下载(27)| 被引(1)

锁相环单粒子瞬态效应的电路级仿真  CNKI文献

对130 nm工艺电荷泵锁相环(PLL,phase-locked loop)开展单粒子瞬态(SET,single event transient)的电路级仿真,根据输出端信号的最大错误脉冲和最大相移寻找SET最敏感节点。结果表明,电荷泵输出级的晶体管对SET最敏感...

赵雯 郭红霞... 《核技术》 2011年05期 期刊

关键词: 锁相环 / 单粒子瞬态 / 电荷泵

下载(116)| 被引(1)

Experimental study on the single event effects in puls...  CNKI文献

This paper presents single event effect(SEE) characteristics of UC1845 AJ pulse width modulators(PWMs) by laser testing. In combination with analysis to map PWM circuitry in the microchip dies, the t...

赵雯 郭晓强... 《Journal of Semiconductors》 2015年11期 期刊

关键词: laser / simulation / pulse / width

下载(26)| 被引(0)

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