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改革半导体课程教学 融入研究性学习思想  CNKI文献

本文根据半导体物理教学现状和课程自身的特点 ,提出改革传统教学模式 ,将研究性学习教学模式应用到半导体物理的教学实践中 ,将理论和实验教学融为一体 ,启发学生以类似科学研究的方式主动探索 ,培养创新意识和探索精...

王印月 赵猛 《高等理科教育》 2003年01期 期刊

关键词: 半导体物理 / 教学模式 / 研究性学习

下载(190)| 被引(26)

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率  CNKI文献

采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的...

王印月 甄聪棉... 《物理学报》 2000年07期 期刊

关键词: 金刚石薄膜 / 欧姆接触 / 接触电阻率

下载(347)| 被引(16)

腔镜器械应用过氧化氢等离子低温灭菌的价值分析  CNKI文献

目的对腔镜器械应用过氧化氢等离子低温灭菌作价值分析。方法2006年3月至2007年9月,腔镜手术632台,腔镜器械用戊二醛浸泡灭菌,2007年10月至2009年4月,腔镜手术868台,腔镜器械用过氧化氢等离子低温灭菌。以灭菌时间、保...

王印月 《护理与康复》 2010年05期 期刊

关键词: 腔镜器械 / 等离子低温灭菌 / 戊二醛浸泡

下载(63)| 被引(9)

用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸  CNKI文献

用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-Ge/SiO2)。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,其结果与晶体Ge的拉曼谱相比,纳米Ge的拉曼峰位红移峰形变宽...

王印月 郑树凯... 《光学学报》 1998年09期 期刊

关键词: 纳米Ge / 拉曼散射光谱 / 晶粒尺寸 / 声子限域理论

下载(213)| 被引(7)

埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光  CNKI文献

用射频共溅射技术和真空退火方法,制备出埋入SiO2基质中纳米Ge的复合膜(ncGe/SiO2),通过喇曼散射、X射线衍射、室温光致发光(PL)、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段,较...

王印月 杨映虎... 《物理学报》 1997年01期 期刊

关键词: 室温光致发光 / 射线衍射 / 喇曼散射 / 拉曼散射

下载(76)| 被引(13)

掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究  CNKI文献

用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入SiO2中的碳复合膜,在室温下测到了强的可见光致发光谱(峰位在2.22eV).研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响.通过喇曼散射谱、红外透射谱和X光...

王印月 薛华... 《半导体学报》 1999年02期 期刊

关键词: 光致发光 / 复合膜 / SiO_2

下载(55)| 被引(16)

埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光  CNKI文献

1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型...

王印月 杨映虎... 《科学通报》 1997年15期 期刊

关键词: 纳米Si / 射频共溅射 / Raman散射 / 室温可见光致发光

下载(45)| 被引(14)

高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响  CNKI文献

通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量,研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜(SP-a-SiC:H)高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下,退火温度对薄膜结构影响明显,H原子的逸出温度与键合有关...

王印月 王辉耀... 《无机材料学报》 1997年03期 期刊

关键词: 高温退火 / 反应溅射 / a-SiC:H薄膜 / 结构调整

下载(80)| 被引(7)

新加坡先进材料与先进技术两会简况  CNKI文献

2005年7月,笔者参加了由新加坡国家材料研究协会发起,由新加坡国立大学、南洋理工大学、新加坡材料研究与工程学会联合承办的2005年第3届材料和先进技术国际会议(IC M A T2005)及2005年第9届先进材料国际会议(ICA M20...

王印月 《国际学术动态》 2006年03期 期刊

关键词: 新加坡 / 多孔材料 / 口头报告 / 生物材料

下载(133)| 被引(0)

非晶硅太阳电池稳定性研究  CNKI文献

报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果,并对提高太阳电池稳定性进行了讨论.

王印月 杨映虎... 《兰州大学学报》 1996年01期 期刊

关键词: 非晶硅 / 太阳电池 / 稳定性

下载(160)| 被引(1)

用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度  CNKI文献

利用常规的层状结构的空间电荷限制电流法,测得了具有一定厚度 d 的 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 和 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜不同含量 x 时的隙态分布 N(E):对 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.1、0.8时,平衡费...

王印月 张亚非... 《无机材料学报》 1987年03期 期刊

关键词: 非晶硅 / 空间电荷限制电流 / 隙态密度

下载(107)| 被引(2)

剖宫产术中仰卧位低血压综合症原因分析及护理  CNKI文献

近年来随着手术技术的提高和手术方式的改进,越来越多的困难分娩被安全的剖腹产所代替,但术中产妇发生仰卧综合症,则是一项严重的并发症,不及时处理,可危及母子安全。仰卧综合症是妊娠末期巨大的子宫压迫下腔静脉...

王印月 《河北医学》 1999年03期 期刊

关键词: 仰卧综合症 / 子宫 / 麻醉后 / 下腔静脉

下载(54)| 被引(4)

Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究  CNKI文献

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最...

王印月 甄聪棉... 《半导体光电》 2000年05期 期刊

关键词: 欧姆接触 / 金刚石薄膜 / 接触电阻率

下载(119)| 被引(0)

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱  CNKI文献

本文研究了用射频反应溅射法制备的非晶硅基系列薄膜(a-Si:H,a-SiC_x:H,a-SiN_x:H和a-Sic_xN_y:H)的红外吸收谱,对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。

王印月 吴现成... 《兰州大学学报》 1995年02期 期刊

关键词: 反应溅射 / 薄膜 / 红外吸收

下载(85)| 被引(1)

女性腺性膀胱炎行经尿道膀胱电切术69例的手术配合  CNKI文献

腺性膀胱炎(glandularis cystitis,GC)是一种膀胱上皮腺性增生样病变[1],是由于膀胱感染、梗阻、结石等慢性刺激引起膀胱尿路上皮发生变化的结果[2],主要表现为尿频、尿急、尿痛、下腹及会阴痛、排尿困难或伴有血尿,其...

王印月 《护理与康复》 2010年02期 期刊

关键词: 腺性膀胱炎 / 经尿道膀胱电切术 / 手术配合

下载(32)| 被引(1)

反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究  CNKI文献

本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在...

王印月 许怀哲... 《半导体学报》 1991年12期 期刊

关键词: 超晶格结构 / 小角度 / 射线衍射 / 结构无序

下载(25)| 被引(4)

用场效应法测量a-Si∶H的定域态密度  CNKI文献

中文叙述了场效应法测量态密度的原理和用场效应法测量了未掺杂 GD—a—Si∶Hi 薄膜的 I_D~V_G 特性,并从中得到了带隙中的定域态密度分布 N(ε).

王印月 张仿清 ... 《兰州大学学报》 1982年03期 期刊

关键词: 定域态 / 带隙 / 场效应 / a-Si

下载(42)| 被引(3)

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜电学性能的研究  CNKI文献

采用射频共溅射复合靶(Si+Ge+石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备...

王印月 刘雪芹... 《兰州大学学报》 2000年01期 期刊

关键词: Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜 / 电阻率 / 退火

下载(42)| 被引(0)

埋入SiO_2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质  CNKI文献

研究了埋入SiO2薄膜中的Ge,Si,C微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光(PL)的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现,当测量温度高于60℃时,埋入SiO2膜中的Ge,Si,...

王印月 杨映虎... 《半导体光电》 1998年04期 期刊

关键词: 微晶 / 退火 / 电导 / 半导体

下载(28)| 被引(1)

用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度  CNKI文献

用高频电容——电压法(H—C—V)研完了 GD—a—si∶H 的隙态密度,得到了平带到耗尽范围内的隙态密度分布,研究了 a—Si∶H 的电子亲和势 qx_a=3.35ev 及 a—Si∶H/n—C—Si 异质结能带图.

王印月 胡著华 ... 《兰州大学学报》 1989年04期 期刊

关键词: 异质结 / 隙态密度

下载(22)| 被引(1)

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