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高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT  CNKI文献

本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(...

熊绍珍 孟志国... 《半导体学报》 1994年02期 期刊

关键词: 开关比 / 场效应迁移率 / Si / TFT

下载(249)| 被引(10)

聚合物发光器件中输运特性的模拟分析  CNKI文献

对聚合物发光二极管 I- V特性的测量发现 ,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性 .模拟分析表明 ,一种反向势垒的存在及其击穿 ,应是引起负阻现象的原因 .缺陷态的存在...

熊绍珍 赵颖... 《半导体学报》 2001年09期 期刊

关键词: 聚合物发光二极管 / 负阻现象 / 反向势垒 / F-N隧穿模型

下载(97)| 被引(7)

Al栅a-Si TFT栅绝缘膜研究  CNKI文献

Al栅可明显降低AM-LCD中a-SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟,有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的阳极氧化技术,获得了适于a-SiTFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。

熊绍珍 谷纯芝... 《光电子技术》 1995年02期 期刊

关键词: Al栅 / 非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT) / 阳极氧化 / Al_2O_3栅绝缘层

下载(93)| 被引(8)

低缺陷TFT-LCD研究  CNKI文献

综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究,冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-si界面的氢化处理Al:Ti栅金属及其AI...

熊绍珍 赵颖... 《光电子技术》 1996年04期 期刊

关键词: 非晶硅 / 薄膜晶体管 / 氢化处理 / 冗余技术

下载(146)| 被引(3)

a—Si TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究  CNKI文献

研究了Ta的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管(a─SiTFT)的复合栅绝缘层Ta2O5厚度,膜质均匀、性能优良,使复合栅绝缘层a─SiTFT的开启电压(VT)控制在3─5V之...

熊绍珍 张建军... 《材料研究学报》 1994年03期 期刊

玻璃/ITO/pin a-Si电池研究  CNKI文献

本文对玻璃/ITO/pin a-Si太阳电池进行了分析,研究了辉光放电等离子体对ITO的轰击作用,并讨论了制备工艺对电池特性的影响。实验发现,ITO/p~+ a-Si接触特性除上述作用的影响外,环境沾污也有重要影响。

熊绍珍 孙钟林... 《太阳能学报》 1986年03期 期刊

关键词: ITO/pin / a-Si / 太阳电池 / 接触特性

下载(47)| 被引(6)

a-Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用  CNKI文献

本文测量了电池表观禁带宽度E_g~(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池...

熊绍珍 孟志国... 《电子学报》 1991年02期 期刊

关键词: 缓冲层 / 厚度 / 电池性能 / 太阳能电池

下载(150)| 被引(2)

非晶硅太阳电池中的非欧姆夹层  CNKI文献

a-Si pin太阳电池暗态下存在一种串联电阻效应,并呈非线性特性。由于它的存在,使暗态电流对数值与电压之间明显偏离线性关系。该非线性电阻在高正向电压下趋于饱和,呈现集总电阻效应。从不同光强下电池串联电阻R_s和短...

熊绍珍 耿新华... 《太阳能学报》 1990年04期 期刊

关键词: 电池 / 暗态 / 二极管品质因子 / 串联电阻

下载(77)| 被引(2)

激光专用机在非晶硅太阳能电池制备中的应用  CNKI文献

本文详细讨论了大面积实用型非晶硅太阳能电池制备中激光刻蚀专用机的作用及对该机的技术要求.研究结果表明,采用10瓦YAG激光器并配以微机控制的x-y大型载物台,可用于20cm×20cm非晶硅太阳能电池的研究,已制出10c...

熊绍珍 孙钟林... 《光电子·激光》 1990年03期 期刊

关键词: 电池 / 激光刻蚀 / 激光切割 / 激光加工

下载(107)| 被引(1)

表面等离子激元非线性表面增强拉曼散射效应  CNKI文献

本文采用热蒸发法制备得到纳米Ag颗粒作为增强拉曼衬底,利用入射光子与纳米颗粒表面价电子的相互作用机理,激发出高能表面等离子激元,其表面等离子形成的高能"热点"起到表面增强拉曼散射效果.通过比较不同入...

黄茜 熊绍珍... 《物理学报》 2012年15期 期刊

关键词: 纳米Ag薄膜 / 表面等离子激元 / 表面增强拉曼散射 / 非线性特性

下载(575)| 被引(10)

Al:Ti合金栅a-Si TFT研究  CNKI文献

本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产...

熊绍珍 赵颖... 《半导体学报》 1997年10期 期刊

关键词: Al / AI / 绝缘栅 / Ti

下载(56)| 被引(1)

非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量  CNKI文献

提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合...

熊绍珍 耿新华... 《电子科学学刊》 1990年01期 期刊

关键词: 非晶硅太阳能电池 / 光生载流子 / 叠加原理 / 载流子收集长度

下载(92)| 被引(0)

单结a-Si太阳电池稳定性的研究  CNKI文献

本文报道了单结非晶硅太阳电池稳定性研究结果,对S-W效应在总衰退中所占的比重进行了分析,结合工艺提出了几项与改善电池稳定性有关的措施,最后对a-Si材料和电池稳定性的前景作了讨论。

熊绍珍 王玉冰... 《太阳能学报》 1992年01期 期刊

关键词: 太阳电池 / 单结 / a-Si

下载(59)| 被引(1)

新一代太阳电池概述  CNKI文献

文章对新一代太阳电池的基本概念、研究现状和研究目标进行了详细的介绍.从"充分吸收光能,减少能量转换损失"的角度,分析了新一代太阳电池的结构设计特征.以纳米技术与叠层电池结构为基础,就高能光子的利用...

赵颖 熊绍珍... 《物理》 2010年05期 期刊

关键词: 第三代太阳电池 / 叠层太阳电池 / 纳米半导体结构 / 多重激子激发

下载(807)| 被引(12)

2.7”a-Si TFT矩阵(英文)  CNKI文献

本文报导了a-Si TFT矩阵的制备及其性能。TFT的有源层是在一高真空低漏气体的分室连续沉积PECVE系统中制备而得,本文详细研究了漏气体与换气体对TFT的关态电流的影响。在目前水平下可使Iott(Vg=-5V)降至10-14A的数量级...

熊绍珍 孟志国... 《液晶通讯》 1993年03期 期刊

关键词: a-Si / TFT / show / TN

下载(27)| 被引(0)

TFT LCD数模混合适配器  CNKI文献

利用常见芯片加以改造设计制造了一个TFTLCD计算机显示适配器。其控制器用数字电路,而驱动器是模拟方式的,并在现有芯片基础上实现了多灰度级,还编制了较为完善的软件系统。实验取得了良好的显示效果

熊绍珍 黄宇... 《现代显示》 1997年02期 期刊

关键词: 外围电路 / 控制信息 / 多电平信息

下载(21)| 被引(0)

a-Si:H材料中的场致电导漂移  CNKI文献

本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场致电导漂移还与场致热激电流峰的出现相联系,按E_t=23KT计算,在较高电场(~2×10~3...

熊绍珍 孙钟林 《半导体学报》 1983年06期 期刊

关键词: 外电场 / 场强 / 热激电流 / 悬键

下载(17)| 被引(0)

a-Si太阳电池中非线性串联电阻效应(英文)  CNKI文献

A non-linear resistance effect has been found in a-Si PIN solar cells. The dark I-V characteristics of the cells are described.Though the dependence of ln(Isc) on Voc under different light intensity ...

熊绍珍 《固体电子学研究与进展》 1989年04期 期刊

下载(27)| 被引(0)

H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用  CNKI文献

在PECVD系统制备a-SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H,钝化SiNx表面的硅悬键,从而使a-So:H/SiNx界面态得到减小.由此制备出的a-SiTFT矩阵,其性能得到明显改善.

赵颖 熊绍珍... 《半导体学报》 1997年01期 期刊

关键词: a-Si / TFT / 场效应迁移率 / 悬键

下载(120)| 被引(6)

a-SiTFT/PIN图像传感器件  CNKI文献

在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光...

赵颖 熊绍珍... 《半导体学报》 2001年01期 期刊

关键词: 有源选址 / 非晶硅薄膜晶体管 / 非晶硅光敏二极管 / 图像传感器

下载(120)| 被引(2)

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