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RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究  CNKI文献

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路。电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的...

海潮和 靳伟 《功能材料与器件学报》 2000年03期 期刊

关键词: RF / SOI / 浮体 / 放大器

下载(125)| 被引(2)

切割曝光技术及其在器件研究上的应用  CNKI文献

本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台G线投影曝光机上制备出深亚微米图形.由此进一步研制成功0.25μmP+多晶硅栅表面沟PMOSFET,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的...

海潮和 陈焕章... 《半导体学报》 1999年07期 期刊

关键词: 沟道长度 / 短沟道效应 / 器件特性 / 光学曝光

下载(18)| 被引(0)

深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究  CNKI文献

提出了一种SOILDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功率附加效率.深入研究了SOILDMOS功率特性与栅长,单指宽度,工作电压和频率之间关系.栅长...

毕津顺 海潮和... 《物理学报》 2011年01期 期刊

关键词: SOI射频LDMOS / 深亚微米 / 功率增益 / 功率附加效率

下载(221)| 被引(5)

多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路  CNKI文献

对多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NM O S和PM O S的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NM O S和PM O S的...

连军 海潮和 《固体电子学研究与进展》 2006年01期 期刊

关键词: 绝缘体上硅 / 全耗尽 / 互补金属氧化物半导体

下载(230)| 被引(1)

采用新的抬高源漏工艺技术制作的全耗尽SOI CMOS器件和电路...  CNKI文献

采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65和69mV/dec.采用抬高源漏结构的1.2μmn...

连军 海潮和 《半导体学报》 2005年04期 期刊

关键词: FDSOI / CMOS / 抬高源漏

下载(96)| 被引(3)

0.5μm高速BiCMOS的工艺研究  CNKI文献

报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺。工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基...

程超 海潮和... 《微电子学与计算机》 2005年01期 期刊

关键词: BiCMOS工艺 / SIC技术 / Si3N4/SiO2复合侧墙 / 超薄内基区

下载(149)| 被引(2)

高速双极晶体管工艺条件的优化研究  CNKI文献

报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术。对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化。根据优化...

程超 海潮和... 《微电子学》 2005年02期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 深槽隔离 / 选择性注入集电极 / 快速热退火

下载(83)| 被引(2)

Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷  CNKI文献

为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因...

蔡小五 海潮和... 《功能材料与器件学报》 2008年05期 期刊

关键词: VDMOS / 辐照 / 氧化物陷阱电荷 / 界面态电荷

下载(272)| 被引(7)

体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现  CNKI文献

制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RFIC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。

张志勇 海潮和 《微电子学》 2003年01期 期刊

关键词: 在片集成电感 / 射频集成电路 / 品质因素 / 铜互连

下载(198)| 被引(13)

N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究  CNKI文献

选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,并发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电...

连军 海潮和... 《电子器件》 2004年01期 期刊

关键词: SOI / SIMOX / 全耗尽 / CMOS

下载(130)| 被引(1)

一种抗辐照SOI反相器  CNKI文献

制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”电平.实验证明,该反相器在经受6×...

赵洪辰 海潮和... 《半导体学报》 2005年09期 期刊

关键词: 辐照效应 / 反相器 / 输出高电平

下载(217)| 被引(7)

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟  CNKI文献

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的...

赵洪辰 海潮和... 《半导体学报》 2004年06期 期刊

关键词: 源区浅结 / 不对称SOI / MOSFET / 辐照效应

下载(128)| 被引(9)

TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件(英文)  CNKI文献

制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度 ,进而提高迁移率 .由于TiN的功函数处于中间禁带 ,在...

连军 海潮和 《半导体学报》 2005年01期 期刊

关键词: FDSOI / CMOS / 中间禁带功函数 / TiN

下载(85)| 被引(0)

TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究  CNKI文献

对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究。由于 TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化。随 硅膜厚度的减小,采用源漏抬高结构,减小了源漏串联电阻...

连军 海潮和 《微电子学》 2005年01期 期刊

关键词: FDSOI / CMOS / 中间禁带功函数 / 抬高源漏结构

下载(98)| 被引(0)

SOI动态阈值MOS研究进展  CNKI文献

随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了...

毕津顺 海潮和... 《电子器件》 2005年03期 期刊

关键词: SOI / 低压低功耗 / DTMOS / 超大规模集成电路

下载(206)| 被引(4)

薄膜积累型SOI pMOSFET(英文)  CNKI文献

对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,而且几乎没有DIBL效应 .漏击穿电压为 10 5V ,与反掺杂型相比 ,提高了 4 0 % .饱和电流...

连军 海潮和... 《半导体学报》 2005年01期 期刊

关键词: 积累型 / 绝缘体上硅 / pMOS

下载(61)| 被引(0)

新型多栅全耗尽SOI器件研究进展  CNKI文献

随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题[1].本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平...

蔡小五 海潮和... 《电子器件》 2007年03期 期刊

关键词: 全耗尽 / SOI / 多栅

下载(491)| 被引(1)

Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究  CNKI文献

本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获...

蔡小五 海潮和... 《核电子学与探测技术》 2008年04期 期刊

关键词: 叠层栅 / 界面态电荷 / 氧化物俘获电荷 / 电容

下载(147)| 被引(4)

动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性  CNKI文献

对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET,降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压...

毕津顺 海潮和 《固体电子学研究与进展》 2008年04期 期刊

关键词: 温度退化特性 / 动态阈值 / n型场效应晶体管

下载(196)| 被引(2)

新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟  CNKI文献

由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构。利用ISE-TCAD模...

蔡小五 海潮和... 《功能材料与器件学报》 2007年05期 期刊

关键词: VDMOS / 超结 / 击穿电压 / 导通电阻

下载(265)| 被引(1)

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