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铁电薄膜的特性、制备及应用  CNKI文献

铁电薄膜材料具有自发极化,且其方向随外电场反转.它还具有压电效应、热释电效应等,因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准CMOS工艺、双极型集成电路工艺以及...

汤庭鳌 《半导体技术》 1996年06期 期刊

关键词: 铁电薄膜 / 不挥发存贮器 / 铁电不挥发存贮器 / 压力传感器

下载(234)| 被引(6)

MOS场效应管的新的电流公式  CNKI文献

本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代MOS场效应管的电流-电压特性,避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设.所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域.计及了...

汤庭鳌 王晓晖... 《半导体学报》 1994年10期 期刊

关键词: 场效应管 / 载流子迁移率 / 纵向电场 / 电流

下载(171)| 被引(2)

硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响  CNKI文献

本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的...

汤庭鳌 卡洛斯·艾劳休... 《固体电子学研究与进展》 1988年01期 期刊

关键词: 薄层电阻 / 离子注入 / 退火条件 / 离子掺杂

下载(107)| 被引(1)

离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模...  CNKI文献

本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双...

汤庭鳌 Carlos Araujo 《半导体学报》 1987年02期 期刊

关键词: 解析表达式 / 再分布 / 退火条件 / 退火过程

下载(38)| 被引(4)

新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现  CNKI文献

提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 ,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的

汤庭鳌 陈登元... 《半导体学报》 2002年11期 期刊

关键词: 逻辑电路 / 不挥发性 / 铁电薄膜

下载(40)| 被引(1)

适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型  CNKI文献

本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极...

汤庭鳌 Carlos Araujo... 《半导体学报》 1988年05期 期刊

关键词: 泊松方程 / 解析解 / 表面势 / 边界条件

下载(44)| 被引(2)

亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型  CNKI文献

本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包...

汤庭鳌 C... 《半导体学报》 1992年09期 期刊

关键词: 场效应管 / MOS / 泊松方程 / Poisson方程

下载(36)| 被引(1)

硅线性升温快速热处理氧化动力学模型  CNKI文献

本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了增强因子.在温度为1050—1200℃范围内,本解...

汤庭鳌 C... 《半导体学报》 1991年11期 期刊

关键词: 快速热氧化 / 快速热处理 / RTO / 解析模型

下载(56)| 被引(0)

用数值法分析TF-SOI-MOS管沟道区的电势分布  CNKI文献

本文对 TF-SOI/MOS管,采取双栅极模型,用有限元和有限差分法分别求解沟道区的电势分布,得到了前栅(front gate)及背栅(back gate)MOS体电势二维分布.总结了指导TF-SOI-MOS 器件研制的要点.并对TF-SOI-MOS器件数值模拟...

汤庭鳌 郑大卫... 《半导体学报》 1992年12期 期刊

关键词: MOS / 沟道区 / SOI / 隐埋氧化层

下载(58)| 被引(0)

国外半导体发展的一些动向  CNKI文献

近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表...

汤庭鳌 《半导体技术》 1991年03期 期刊

关键词: 埋藏式 / 集成传感器 / 真空器件 / 半导体技术

下载(67)| 被引(1)

硅中高浓度注入的硼砷离子在热氧化中的再分布  CNKI文献

本文利用杂质在氧化气氛中的有效扩散系数,通过解扩散方程,首次得到了硅中高浓度注入硼和砷离子在热氧化气氛中再分布的解析表达式。结果表明,在热氧化气氛中杂质再分布的结深与时间之间的三分之一次方关系多了一个修...

汤庭鳌 C... 《复旦学报(自然科学版)》 1988年03期 期刊

关键词: 扩散系数 / 离子注入 / 退火 / 热氧化。

下载(36)| 被引(1)

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型  CNKI文献

本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、...

汤庭鳌 陈登元... 《半导体学报》 1989年11期 期刊

关键词: 泊松方程 / 离子注入 / 解析解 / 表面势

下载(41)| 被引(0)

适用于获得砷硼浅结的快速热退火解析模型  CNKI文献

利用Boltzmann-Matno变换方法,求解与浓度有关的扩散方程,得到了砷硼快速热退火再分布的解析模型.实验证明本解析结果较好地符合快速热退火再分布的实际规律.

汤庭鳌 C... 《复旦学报(自然科学版)》 1987年03期 期刊

关键词: 浅结 / 快速热退火 / 解析模型 / 扩散方程

下载(12)| 被引(1)

面向21世纪的Bi CMOS工艺  CNKI文献

1 会议背景自从1947年第一个双极型晶体管问世以来,已整50个年头了,在这颇具历史意义的时刻,国际1997双极和Bi CMOS电路及工艺会议(BCTM)9月底到10月初在美国明尼苏达州明尼埃帕勒斯市召开。大会邀请了一些对晶体管和...

汤庭鳌 《国际学术动态》 1998年02期 期刊

关键词: Bi / CMOS / 双极型 / 双极晶体管

下载(26)| 被引(0)

大力推动ASIC的发展──第一届国际ASIC会议的启示  CNKI文献

大力推动ASIC的发展──第一届国际ASIC会议的启示汤庭鳌(复旦大学)1994国际ASIC会议已于10月18~21日在北京成功召开。从大会上传出的信息表明加快我国ASIC事业的发展是极为紧要和迫切的...

汤庭鳌 《地质科技管理》 1995年04期 期刊

关键词: 门阵列设计 / 华晶 / 复旦大学 / 中央研究所

下载(10)| 被引(0)

电子技术的活跃领域——电子器件  CNKI文献

有41年历史的国际电子器件会议(International Electron Devives Meeting)于1995年12月10—13日在美国东部华盛顿市召开。这次会议收到30个国家的600篇文章,其中会上报告的有221篇,录取率为37%.与会代表共1800人。会议...

汤庭鳌 张国权 《国际学术动态》 1996年08期 期刊

关键词: 半导体技术 / 电子学 / 电子技术 / 异质结双极型晶体管

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中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分...  CNKI文献

本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D~0的影响,推导而得出D~0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10%。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。

汤庭鳌 郑大卫... 《半导体学报》 1990年08期 期刊

关键词: 离子注入 / 退火 / 本征扩散 / 解析模型

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蓬勃发展的集成铁电学  CNKI文献

第8届国际集成铁电会议(International Symposium On Integrated Ferroelectrics)于1996年3月17—20日在美国亚利桑那州的TEMPE市举行。与会代表250人,他们来自14个国家和地区。会上发表论文近150篇。利用铁电体材料研...

汤庭鳌 《国际学术动态》 1996年05期 期刊

关键词: 集成铁电学 / 铁电薄膜 / 铁电体材料

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第2届国际专用集成电路会议简介  CNKI文献

由中国电子学会主办、复旦大学承办的第2届国际专用集成电路会议于1996年10月21日至24日在上海召开。来自15个国家和地区的200多名专家、学者在会上发表论文105篇。在全体大会上,美国Texas公司最高技术负责人、国际ED...

汤庭鳌 虞惠华 《国际学术动态》 1997年07期 期刊

关键词: 专用集成电路 / 标准单元库

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MFIS结构的C-V特性  CNKI文献

研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V...

颜雷 汤庭鳌... 《半导体学报》 2000年12期 期刊

关键词: 不挥发非破坏性读出铁电存储器 / 存储窗口 / 铁电薄膜 / 电滞回线

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