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硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管  CNKI文献

经过近十年的探索,作者在国际上率先突破了硅衬底高光效Ga N基蓝光LED材料生长技术及其薄膜型芯片制造技术,制备了内量子效率和取光效率均高达80%的单面出光垂直结构Ga N基蓝光LED,并实现了产业化和商品化,成功地应用...

江风益 刘军林... 《中国科学:物理学 力学 天文学》 2015年06期 期刊

关键词: 硅衬底 / 高光效 / 氮化镓 / 发光二极管

下载(935)| 被引(26)

半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备  CNKI文献

在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过...

江风益 刘军林... 《物理学报》 2019年16期 期刊

关键词: Si / InGaN / 黄光LED / 金属有机物化学气相沉积

下载(88)| 被引(0)

MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究  CNKI文献

获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2...

江风益 李述体... 《发光学报》 2000年02期 期刊

关键词: MOCVD / GaN / 光致发光 / X射线双晶衍射

下载(252)| 被引(13)

金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究  CNKI文献

以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对InxGa1 -xN GaN Al2 O3 样品进行了分析。研究表明 ,金属有机汽相沉积生长高In组分Inx...

江风益 李述体... 《光学学报》 2001年12期 期刊

关键词: 金属有机汽相沉积 / InGaN / 卢瑟福背散射沟道技术 / 光致发光

下载(235)| 被引(8)

新型紫外光源研制成功  CNKI文献

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产...

江风益 熊传兵... 《材料导报》 2001年02期 期刊

关键词: 紫外光源 / LED / 器件 / InGaN

下载(232)| 被引(15)

化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响  CNKI文献

用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流...

江风益 姚冬敏... 《半导体学报》 2001年06期 期刊

关键词: GaN / X射线光电子能谱 / RBS/沟道 / 光致发光

下载(126)| 被引(1)

Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算  CNKI文献

我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实...

江风益 范希武... 《发光学报》 1990年03期 期刊

关键词: 子能带 / ZnS / Znse / 轻空穴

下载(100)| 被引(3)

第九届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国...  CNKI文献

第九届全国发光二极管 (LED)产业研讨与学术会议暨第五届中国光协光电器件分会会员大会于2 0 0 4年 9月 16— 2 0日在江西南昌举行 .本届会议由江西联创光电科技股份有限公司和南昌大学材料科学研究所联合承办 ,厦门华...

江风益 《物理》 2005年01期 期刊

关键词: LED / 发光二极管 / 结型发光器件 / 光电器件

下载(103)| 被引(1)

第八届全国发光二极管(LED)产业研讨与学术会议评介  CNKI文献

第八届全国LED产业研讨与学术会议于2002年9月13日至17日在山东青岛召开.会议目的是为全国从事LED及相关领域研究、教学、生产的科技人员及管理人员提供一次学术与技术交流的机会,促进我国LED技术创新和产业发展.本届...

江风益 《物理》 2003年01期 期刊

关键词: LED / 发光二极管 / 结型发光器件 / 外延材料

下载(74)| 被引(1)

我眼中的晶能“芯”  CNKI文献

人们期望LED照明具有高电光转换效率、高可靠性能和低成本,只有这三个条件同时具备时半导体照明才能真正走向千家万户,造福人类。

江风益 《中国科技财富》 2010年21期 期刊

关键词: 半导体照明技术 / 硅衬底 / LED / 路线

下载(70)| 被引(0)

ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射  CNKI文献

本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移...

江风益 杨爱华... 《发光学报》 1991年03期 期刊

关键词: ZnSe-ZnS / SLS / Raman / 蓝移

下载(61)| 被引(0)

关于ZnSe—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨  CNKI文献

本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释ZnSe-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主...

江风益 范希武... 《发光学报》 1990年04期 期刊

关键词: ZnSe / SLS / ZnS / 受主能级

下载(27)| 被引(2)

江风益:技术方、投资方需摆正各自位置  CNKI文献

对于许多高校、研究所等研发部门来说,高新技术转化成生产力一直都是很难的事情。一方面,我国目前还缺少风险投资的良好机制;另一方面,国内很多风险投资公司对高新技术向产业转化的长期性、艰苦性理解的并不深入,投资...

江风益 《新材料产业》 2008年09期 期刊

关键词: 半导体照明技术 / 投资方 / 风投

下载(72)| 被引(0)

ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光  CNKI文献

本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;...

江风益 潘传康... 《物理学报》 1992年04期 期刊

关键词: ZnSe-ZnS / 发射光谱 / 束缚能 / 结合能

下载(43)| 被引(0)

ZnSe及ZnSe:N的光致发光  CNKI文献

本文报导了我们用常压MOCVD法生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性。在77K的光致发光光谱中,ZnSe的激子发射峰位于4450,其半高宽为12.6mev。在探索ZnSe反型的过程中,我们在生长过程中掺入氮杂质,获得了氮替代硒的浅受主...

江风益 范广涵... 《南昌大学学报(工科版)》 1991年03期 期刊

关键词: ZnSe单晶膜 / 掺氮 / 蓝色发光

下载(49)| 被引(0)

ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别  CNKI文献

本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能...

江风益 潘传康... 《半导体学报》 1992年01期 期刊

关键词: ZnSe-ZnS / 应变超晶格 / 激子峰 / 质量鉴别

下载(18)| 被引(1)

ZnSe-ZnS超晶格的量子尺寸效应  CNKI文献

本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。

江风益 廖清华... 《南昌大学学报(工科版)》 1992年02期 期刊

关键词: 应变超晶格 / MOCVD

下载(38)| 被引(0)

常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜  CNKI文献

本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.

江风益 范广涵... 《南昌大学学报(工科版)》 1990年03期 期刊

关键词: 金属有机化学汽相沉淀 / ZnTe单晶膜 / 光致发光 / X射线衍射

下载(42)| 被引(0)

在CaF_2衬底上常压MOCVD法生长ZnSe-ZnTe应变超晶格  CNKI文献

我们首次在透明衬底CaF_2上生长了ZnSe-ZnTe应变超晶格。通过X射线衍射测量,观测到多级卫星峰,表明超晶格周期结构的形成.光致发光光谱峰值的蓝移,表征ZnSe-ZnTe超晶格中应变与量子尺寸效应的存在.吸收光谱中几个明显...

江风益 范广涵... 《发光学报》 1991年03期 期刊

关键词: 衬底 / 基片 / ZnTe / CaF_2

下载(21)| 被引(0)

p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究  CNKI文献

在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LE...

毛清华 江风益... 《物理学报》 2010年11期 期刊

关键词: 氮化镓 / p-AlGaN / 绿光LED / 量子效率

下载(479)| 被引(14)

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