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SOI—纳米技术时代的高端硅基材料  CNKI文献

绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体上应变硅(sSOI),绝缘体上锗(GOI)等SOI技术...

林成鲁 《微电子学》 2008年01期 期刊

关键词: 高端硅基材料 / 绝缘体上硅 / 绝缘体上应变硅 / 绝缘体上锗

下载(853)| 被引(18)

SOI技术的新进展  CNKI文献

综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。

林成鲁 《半导体技术》 2003年09期 期刊

关键词: 绝缘层上硅 / 离子注入 / 注氧隔离 / 薄层转移

下载(741)| 被引(30)

SOI材料和器件及其应用的新进展  CNKI文献

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。

林成鲁 张正选... 《核技术》 2003年09期 期刊

关键词: 绝缘层上的硅(SOI) / 辐射 / SOI产业化

下载(356)| 被引(17)

SOI—二十一世纪的微电子技术  CNKI文献

与体硅材料和器件比较,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等,因而被称为二十一世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注.SOI技术正走向商业应用阶段,特别是应用于高性能、低...

林成鲁 张苗 《功能材料与器件学报》 1999年01期 期刊

关键词: 绝缘上层硅 / 离子注入 / 注氧隔离SOI / 智能剥离SOI

下载(473)| 被引(33)

纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI  CNKI文献

本文综述了纳米时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI,并结合介绍了上海微系统所和上海新傲科技有限公司相关的研究工作。

林成鲁 刘卫丽 《功能材料与器件学报》 2007年04期 期刊

SOI技术的新进展  CNKI文献

通过对最近两次 SOI国际会议的分析,了 SOI技术取得的新。三种 SOI技术 SIMOX, Smart- cut和 BESOI已走向商业化 ,在高温与辐射环境下工作的 SOI电路也走向了市场。 近来人们更加重视 SOI技术,是因为 SOI在实现低...

林成鲁 《功能材料与器件学报》 2001年01期 期刊

关键词: SOI / SIMOX / Smart-cut / 低压低功耗电路

下载(256)| 被引(12)

退火气氛对掺银TiO_2薄膜结构和光催化性能的影响  CNKI文献

本文采用sol-gel法制备了掺银的TiO_2/glass纳米光催化薄膜,并分别在空气和真空条件下对薄膜进行退火处理.结构和光催化性能的测试结果表明,退火气氛对薄膜的结构和薄膜对染料溶液的光催化降解效率都有影响.经真空退火...

林成鲁 宋世庚... 《化学学报》 1998年06期 期刊

关键词: 光催化 / TiO_2 / 薄膜 / 溶胶-凝胶法

下载(121)| 被引(22)

SOI—纳米技术时代的高端硅基材料  CNKI文献

绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。本文详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用;以及近年来为满足特殊应用要求而研发出的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体上应变硅(sSOI)、绝缘体上锗(GOI)等SOI...

林成鲁 《功能材料信息》 2008年01期 期刊

关键词: 高端硅基材料 / 绝缘体上硅 / 绝缘体上应变硅 / 绝缘体上锗

下载(213)| 被引(0)

SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究  CNKI文献

本文研究了利用大剂量的N~+和O~+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟...

林成鲁 俞跃辉... 《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》 1990年09期 期刊

关键词: 离子注入 / SOI结构 / 光学性质

下载(17)| 被引(12)

γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响  CNKI文献

利用N~+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了~(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。

林成鲁 李金华... 《核技术》 1991年01期 期刊

关键词: SIMNI材料 / MOS器件 / γ射线辐照

下载(52)| 被引(5)

SOI——新一代硅材料  CNKI文献

SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是"二十一世纪的微电子技术"、"新一代硅"。本文综述了SOI的特点,国际...

林成鲁 《集成电路应用》 2003年01期 期刊

关键词: SOI / 硅集成电路 / 硅材料

下载(101)| 被引(0)

三维集成电路与SOI技术  CNKI文献

一、三维集成电路随着大规模集成电路集成度的提高,通常的二维集成电路逐渐受到微细加工精度的限制,研制新型的真正立体结构的三维集成电路,近几年来引起了国际上许多国家的注意.美国斯坦福大学、贝尔实验室、麻省理工...

林成鲁 《半导体技术》 1985年04期 期刊

关键词: 三维集成电路 / 再结晶 / 多晶硅 / SOI

下载(193)| 被引(0)

离子注入多晶硅的快速热退火研究  CNKI文献

本文对BF_2~+、AS~+注入的多晶硅膜进行了快速热退火研究。结果表明;离子注入多晶硅的快速热退火可以得到优于常规热退火的电学性能.选择快速热退火条件可以控制多晶硅中的杂质分布;退火时的氮气保护能够抑制杂质的损...

林成鲁 《微电子学与计算机》 1987年04期 期刊

关键词: 多晶硅膜 / BF / 晶粒边界 / 扩散速率

下载(88)| 被引(2)

用5—20keV As~+、BF_2~+注入与快速热退火制作超浅结的研究  CNKI文献

利用能量为5—20keV、剂量为5×10~(14)—5×10~(15)cm~(-2)的BF~+_2和As~+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结深~100nm、薄层电阻~60Ω/口的突变p~+-n和n~+-P超浅结。

林成鲁 关安民... 《核技术》 1988年08期 期刊

关键词: 超浅结 / 低能离子注入 / 快速热退火

下载(50)| 被引(3)

SIMOX技术的研究进展  CNKI文献

注氧隔离的SIMOX技术是获得SOI材料的最先进的技术,本文讨论了SIMOX技术的研究进展,比较了SIMOX和SIMNI两种材料的优缺点。

林成鲁 周祖尧... 《微电子学与计算机》 1995年02期 期刊

关键词: 离子注入 / 绝缘体上硅材料 / 注氧隔离 / SIMNI

下载(51)| 被引(2)

高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟  CNKI文献

本文报告了硅中注入大剂量O+或N+离子形成SIMOX或SIMNI的物理效应及计算机模拟结果;分析了SIMOX与SIMNI形成的不同机制.在注氧形成SIMOX结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成S...

林成鲁 施左宇 《微电子学与计算机》 1995年02期 期刊

关键词: 高剂量离子注入 / 计算机模拟 / 注氧隔离 / SIMNI

下载(41)| 被引(2)

硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究  CNKI文献

项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介  β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源 ,探测器等光电器件 ,并进而发展光电器...

林成鲁 王连卫... 《光电子·激光》 2000年03期 期刊

关键词: 固相外延 / 光学性质 / 物理性能 / FeSi_2

下载(87)| 被引(2)

离子注入半导体的快速热退火与SOI技术  CNKI文献

自1977年以来,为了摸索离子注入半导体的新退火方法,各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究,已派生出若干很有生命力的应用项目,其中,快速热退火、SOI(Se...

林成鲁 《核技术》 1987年01期 期刊

关键词: 快速热退火 / 离子注入半导体 / SOI技术 / InP

下载(80)| 被引(0)

离子束合成SIMOX技术的进展  CNKI文献

综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量(1011~1016/cm2)离子注入到高剂量(1017~1018/cm2)离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物...

林成鲁 周祖尧... 《微电子学》 1996年03期 期刊

关键词: 半导体材料 / SOI / 离子注入 / 离子束合成

下载(28)| 被引(1)

铝中注N~+后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究  CNKI文献

<100>Si衬底上淀积厚度为700nm的铝薄膜(铝中含0.85wt.%的Cu).以剂量为4.3×1017-1.5×10~(18)cm~(-2)400kevN_2~+或350keVN~+的注入到铝...

林成鲁 李金华 《核技术》 1994年07期 期刊

关键词: N~+注入 / 氮化铝 / Cu杂质偏析

下载(49)| 被引(0)

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