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Si/SiGe异质结器件研究  CNKI文献

移动通信、GPS、雷达及高速数据处理系统等的高速发展对半导体器件的性能,如截止频率、功耗和成本等提出了更高的要求。相对于Si器件和化合物半导体器件,Si/SiGe异质结器件能以更高的性能价格比满足该要求,故成为...

杨沛锋 导师:谢孟贤 电子科技大学 2002-04-01 博士论文

关键词: 锗硅合金 / 异质结 / p-MOS场效应晶体管 / 异质结双极晶体管

下载(931)| 被引(4)

Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)  CNKI文献

通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节 ,基于此已研制出 Si...

杨沛锋 李竞春... 《半导体学报》 2001年11期 期刊

关键词: 锗硅 / 场效应晶体管 / 优化

下载(52)| 被引(1)

Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)  CNKI文献

通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利...

杨沛锋 李开成... 《功能材料与器件学报》 2002年02期 期刊

关键词: 锗硅材料 / 分子束外延 / 异质结双极晶体管 / 优化设计

下载(77)| 被引(0)

Si_(1-x)Ge_x/Si材料外延生长技术  CNKI文献

介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex/Si材料。其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成...

杨沛锋 李开成... 《电子科技大学学报》 1999年05期 期刊

关键词: 锗硅合金 / 分子束外延 / 有效组成成分

下载(49)| 被引(0)

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取  CNKI文献

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合...

杨谟华 于奇... 《半导体学报》 2000年03期 期刊

关键词: 模型参数 / 热载流子 / 退化/寿命 / MOSFET

下载(267)| 被引(11)

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