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化学蒸汽输运法生长完整硫化锌单晶  CNKI文献

用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的ZnS单晶。在大管径的安瓶中对流控制的质量输...

杨宝均 冯淑芬... 《发光与显示》 1985年03期 期刊

关键词: 输运 / 硫化锌 / 硫化物 / 单晶

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OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性  CNKI文献

本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延...

杨宝均 田华 《发光学报》 1990年04期 期刊

关键词: 外延层 / 激光特性 / OMVPE / 气相外延

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硒化锌(ZnSe)单晶的汽相化学输运生长及性质  CNKI文献

引言 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料。具有禁带宽度大,发光效率高等优点。但它们的熔点高,蒸汽压高,只有在高温高压下才能熔融。一般条件下难以实现熔体生长。 我们以前用汽相化学输运法进行了ZnSe,ZnS及其固...

杨宝均 《发光与显示》 1980年03期 期刊

关键词: 输运 / 单晶 / 晶形 / ZnSe

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CdS单晶的激子发射与激光  CNKI文献

本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光(PL)中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度随 CdS 的纯度提高而增加。在 N_2激光器337.1nm 线激发下 CdS 单晶的受激发射和激光...

杨宝均 田华... 《发光快报》 1991年02期 期刊

关键词: 自由激子 / 受激发射 / 激光发射 / 晶形

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电脉冲下ZnSeLD受激发射  CNKI文献

用光助,低压MOCVD方法获得p-ZnSe,p-ZnSSe受主浓度为3×1017cm-3和8×1016~2×1017cm-3的条件下,生长制备了n-ZnSSen-ZnSe/ZnCdSe/p...

杨宝均 申德振... 《光电子·激光》 1999年01期 期刊

关键词: 光助低压MOCVD / ZnSe激光二极管 / 蓝绿激射

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VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态  CNKI文献

本文报导了在透明的CaF_2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。

杨宝均 王寿寅... 《发光学报》 1990年03期 期刊

关键词: 外延膜 / VPE / 光学性质 / 物理性能

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Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe多量子阱的光学双稳态  CNKI文献

用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Z_(n1-x)Cd_xSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激...

杨宝均 宋士惠... 《发光学报》 1993年03期 期刊

关键词: MOCVD / ZnCdSe-ZnSe / 多量子阱 / 光学双稳态

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升华法生长ZnSe单晶  CNKI文献

硒化锌(ZnSe)是被广泛研究的一种兰色发光材料,有希望作成实用的兰色发光二极管。由于 Znse 的带隙实现兰光主要靠带边或浅的施主—受主对复合。材料中其他的杂质和缺陷在禁带中形成的局域能级对兰色发光带来不利的影...

杨宝均 张吉英... 《人工晶体》 1985年Z1期 期刊

关键词: 单晶 / 晶形 / 化学计量 / ZnSe

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用于高能成像的金属-磷光体增光屏  CNKI文献

能量在 1到25MeV范围的磷光体屏只能提供一个令人不满意的诊断质量的图像。金属与磷光体相结合的增光屏改进了成像质量。本文介绍这种增光屏系统的光输出以及金属、金属厚度的选择和磷光体、磷光体厚度选择等的依赖关...

杨宝均 《国外发光与电光》 1976年01期 期刊

关键词: 磷光体 / 厚度 / 光输出 / 金属

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生长温度对有机金属汽相外延ZnSe薄膜特性的影响  CNKI文献

ZnSe 薄膜是制作蓝色发光器件和激光器件的材料,多用汽相外延生长。有机金属汽相外延(OMVPE)能在较低温度下生长晶体,从而改善外延层的结晶完整性和纯度。本工作以二甲基锌为 Zn 源,硒化氢为 Se 源,氢为载气,GaAs(100...

杨宝均 B... 《人工晶体》 1988年Z1期 期刊

关键词: 生长温度 / ZnSe / 薄膜特性

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高纯CdS单晶生长及光学性质  CNKI文献

本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.

李维志 杨宝均 《发光学报》 1991年04期 期刊

关键词: 单晶生长 / CdS / 自由激子 / 晶体

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MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜结晶性及Mn~(2+)分...  CNKI文献

本文报导了用MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜为立方晶相,结晶取向性好,颗粒大.从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑.SIMS测量表明Mn2+在ZnS薄膜纵向分布均匀,但在两侧有...

赵丽娟 杨宝均... 《发光学报》 1996年02期 期刊

关键词: MOCVD / 电致发光薄膜 / 结晶性 / Mn~(2+)分布

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常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性  CNKI文献

本文通过常压MOCVD方法,利用NH3气作为受主掺杂源,在(100)方向的GaAs衬底上生长了ZnSe:N膜.通过测量77K温度下光致发光光谱.观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射(FA)和深中心复合...

吕有明 杨宝均... 《发光学报》 1994年03期 期刊

关键词: MOCVD / p型ZnSe / 光致发光 / 霍尔测量

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室温下ZnS-ZnTe应变超晶格的带间跃迁  CNKI文献

本文报导了ZnS-ZnTe应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质.通过测量室温下光致发光光谱,对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究.

吕有明 杨宝均... 《发光学报》 1996年03期 期刊

关键词: ZnS-ZnTe / Ⅱ型超晶格 / 光致发光 / 带-带跃迁

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ZnTe_xSe_(1-x)外延层的室温发光特性  CNKI文献

用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了ZnTexSe1-x单晶薄膜。在N2分子激光器激发下,首次在室温,ZnTe0.005Se0.995单晶层中观测到它的蓝带(S1...

张吉英 杨宝均... 《光电子·激光》 1997年06期 期刊

关键词: 低压气相沉积 / GaAs衬底 / ZnTe_xSe_(1-x)单晶薄膜

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CdS/ZnS包覆结构纳米微粒的微乳液合成及光学特性  CNKI文献

利用微乳液法合成CdS纳米微粒, 并对其进行表面修饰, 得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒, 以吸收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构, 得到CdS内核的直径为5nm ,CdS/ZnS包覆结构总粒径...

羊亿 申德振... 《发光学报》 1999年03期 期刊

关键词: CdS / ZnS / 纳米微粒 / 包覆结构

下载(234)| 被引(30)

常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光  CNKI文献

常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光张吉英,杨宝均,范希武,吕有明,申德振(中国科学院长春物理研究所.长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蓝色...

张吉英 杨宝均... 《发光学报》 1996年01期 期刊

关键词: 电致发光 / 蓝绿色 / 张吉 / 场致发光

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ZnSe基量子阱的低压MOCVD生长及性能表征  CNKI文献

用低压-金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)方法生长了ZnCdSeZnSe和ZnTeSeZnSe多量子阱(MQWs)。在生长室压力38tor(5×103Pa),衬底面积19×20mm2...

张吉英 杨宝均... 《功能材料与器件学报》 1998年01期 期刊

关键词: 低压MOCVD / ZnSe基量子阱 / 性能表征

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ZnSe基半导体材料的低压MOCVD生长  CNKI文献

本实验室用的低压MOCVD设备是由原来的常压MOCVD设备改造的。其中设备中用的主要部件,如质量流量计、压力控制器、压力传感器和机械泵等都是国外进口。组合阀门和冷阱温度控制仪等为国产。生长室真空压力可...

张吉英 杨宝均... 《人工晶体学报》 1997年Z1期 期刊

关键词: ZnSe晶体 / 金属有机化学气相沉积 / 半导体

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量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性  CNKI文献

运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱 (QDQW )结构 ,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构 ,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响 ,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用 ,并归因于隧...

羊亿 申德振... 《功能材料》 2000年01期 期刊

关键词: 量子点 / 量子阱 / 隧道效应

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