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RNA干扰HIF-1α表达对白血病K562细胞高三尖杉酯碱敏感性的...  CNKI文献

背景与目的:缺氧诱导因子-1α(hypoxia-inducible factor-1α,HIF-1α)是细胞对缺氧应答的一个重要的转录因子,目前对缺氧条件下血液系统恶性肿瘤,尤其是白血病生物学改变的研究相对较少。本研究探讨应用RNA干扰技术抑...

李炳宗 庄文卓... 《癌症》 2008年07期 期刊

关键词: RNA干扰 / 缺氧诱导因子-1α / K562细胞 / 靶基因

下载(180)| 被引(9)

硅芯片技术发展特点及前景  CNKI文献

硅微电子器件是现代信息技术的重要基础,近30年来,硅芯片集成度和性能以指数规律(“穆尔规则”)持续发展。单元器件微小型化(以“小”求“大”)和不断革新与完善的微细加工技术(以“新”求“小”)是硅芯片迅...

李炳宗 《半导体技术》 1996年04期 期刊

关键词: 硅芯片 / 集成电路 / 器件微小型化 / 穆尔规则

下载(317)| 被引(7)

多发性骨髓瘤患者骨髓Flk1~+间充质干细胞的成骨能力降低  CNKI文献

目的研究多发性骨髓瘤(MM)患者骨髓F lk1+间充质干细胞(F lk1+MSCs)的成骨特性,探讨其与多发性骨髓瘤骨病的关系。方法分离并鉴定MM患者骨髓源F lk1+MSCs;利用实时定量RT-PCR检测F lk1+MSCs成骨诱导前后成骨指标的表达...

李炳宗 李静... 《基础医学与临床》 2006年06期 期刊

关键词: 多发性骨髓瘤 / 间充质干细胞 / 成骨 / 转录共刺激因子

下载(77)| 被引(7)

多发性骨髓瘤患者骨髓Flk1~+间充质干细胞的分离和鉴定以及...  CNKI文献

研究目的: 分离和纯化多发性骨髓瘤患者骨髓来源Flkl~+间充质干细胞,鉴定其生物学性状,并比较其与正常成人骨髓来源Flkl~+间充质干细胞的成骨潜能。比较转录共刺激因子TAZ在两者中表达量的不同,研...

李炳宗 导师:赵春华 中国协和医科大学 2006-05-01 博士论文

关键词: 多发性骨髓瘤 / Flk1~+间充质干细胞 / 成骨 / TAZ

下载(159)| 被引(0)

TNF-α抑制多发性骨髓瘤患者骨髓间充质干细胞成骨潜能  CNKI文献

目的探讨多发性骨髓瘤(MM)患者骨髓间充质干细胞(MSCs)成骨潜能变化,以及肿瘤坏死因子α(TNF-α)对MSCs成骨潜能的影响。方法分离培养MM患者和正常人的MSCs,鉴定其生物学特性。体外成骨诱导后,实时RT-PCR检测其成骨指...

李炳宗 庄文卓... 《江苏医药》 2008年01期 期刊

关键词: 骨髓瘤 / 间充质干细胞 / 肿瘤坏死因子α / 成骨

下载(151)| 被引(3)

骨髓瘤细胞对骨髓间充质干细胞成骨分化潜能的影响  CNKI文献

目的检测骨髓瘤细胞对骨髓间充质干细胞成骨潜能的影响,探讨骨髓瘤细胞在骨髓瘤骨病发病机制中的作用。方法分离培养骨髓间充质干细胞,鉴定其生物学特性。采用midiMACs阳性免疫磁珠分选系统分离多发性骨髓瘤(MM)患者骨...

李炳宗 庄文卓... 《苏州大学学报(医学版)》 2009年02期 期刊

关键词: 多发性骨髓瘤 / 间充质干细胞 / 成骨

下载(140)| 被引(0)

超大规模集成电路多层互连新技术  CNKI文献

1998年6月在美国加州硅谷Santa Clara举行了第15届国际超大规模集成电路多层互连技术会议(International VLSI Multilevel Interconnection Conference—VMI(-98)。参加会议的有美国、亚洲和欧洲各大半导体器件公司、...

李炳宗 《国际学术动态》 1999年01期 期刊

关键词: 大规模集成电路 / 固相反应 / 多层薄膜 / Cu

下载(159)| 被引(0)

血液内科临床实习教学工作探讨  CNKI文献

血液内科疾病有其自身特点,如内容抽象和枯燥乏味、临床操作较多、对学生的医患沟通能力要求较高。针对以上问题,可以采取以下措施提高临床实习效果,如进行典型病例和少见病例讲座来提高学生实习兴趣和学习的主观能动...

李炳宗 陈萍 《教育教学论坛》 2015年33期 期刊

关键词: 血液内科 / 临床实习 / 医患沟通

下载(22)| 被引(0)

集成电路接触和互连技术的进展  CNKI文献

第13届国际超大规模集成电路多层互连会议(13th International VLSI Multilevel Inter-connection Conference—VMIC)1996年6月在美国加州Santa Clara举行。有14个国家和地区的研究和技术人员900余人参加了会议,发表论...

李炳宗 《国际学术动态》 1997年03期 期刊

关键词: 互连技术 / Cu / 扩散阻挡层 / 互连工艺

下载(92)| 被引(0)

半导体技术进步与人才培养  CNKI文献

回顾晶体管发明以来半导体技术的巨大发展及规律,介绍关系其今后发展的某些关键技术,分析研究工作和科技人才培养在半导体产业发展中的关键作用。

李炳宗 《电子科技导报》 1997年09期 期刊

关键词: 半导体技术 / 集成电路 / 人才培养

下载(40)| 被引(3)

走向2000年的硅芯片技术  CNKI文献

走向2000年的硅芯片技术李炳宗(复旦大学)1硅芯片——信息社会的重要物质基础90年代以来,在世界各国竞相加速发展电子信息产业的背景下,半导体微电子技术继续快速发展。在克服了80年代末世界经济不景气所...

李炳宗 《电子科技导报》 1995年07期 期刊

关键词: 硅芯片 / 李炳 / 复旦大学 / 亚微米

下载(38)| 被引(2)

ICSICT-2001——新世纪国内首次国际固态和集成电路技术会议  CNKI文献

第六届国际固态技术和集成电路技术会议(ICSICT-2001)于2001年10月22~25日在上海召开。ICSICT是我国内举行的微电子技术领域规模最大的国际学术会议,自1986年以来, 已在北京举行五届。本届会议由中国电子学会、IE...

李炳宗 《半导体技术》 2002年01期 期刊

关键词: 集成电路技术 / 会议 / 器件技术 / ICSICT-2001

下载(12)| 被引(0)

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜  CNKI文献

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的...

李炳宗 厉佳... 《复旦学报(自然科学版)》 1988年01期 期刊

关键词: TiSi_2 / 薄膜 / 固相反应 / NH

下载(18)| 被引(0)

初诊伴自身免疫性溶血性贫血的侵袭性非霍奇金淋巴瘤特征分...  CNKI文献

目的:探讨首发伴自身免疫性溶血性贫血(autoimmune hemolytic anemia,AIHA)的侵袭性非霍奇金淋巴瘤(non-Hodgkin's lymphoma,NHL)的临床及实验室特征。方法:收集2013年9月至2016年7月苏州大学附属第二医院收治的6...

陈萍 李炳宗... 《中国肿瘤临床》 2017年18期 期刊

关键词: 非霍奇金淋巴瘤 / 自身免疫性溶血性贫血 / EB病毒 / EBER

下载(88)| 被引(4)

原发结外非霍奇金淋巴瘤110例临床分析  CNKI文献

目的:探讨原发结外非霍奇金淋巴瘤(PE-NHL)的发病情况、临床特点、诊断及治疗。方法:回顾性分析苏州大学附属第二医院2001年1月~2008年5月收治的PE-NHL 110例。结果:110例PE-NHL占同期收治恶性淋巴瘤患者的60.11%(11...

陈萍 李炳宗... 《中国肿瘤临床》 2009年23期 期刊

关键词: 原发结外林巴瘤 / 原发胃肠道淋巴瘤 / 诊断 / 治疗

下载(58)| 被引(3)

Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜  CNKI文献

研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RB...

刘平 李炳宗... 《半导体学报》 1994年04期 期刊

关键词: 薄膜晶体 / CoSi_2 / Si / Ti

下载(54)| 被引(7)

快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究  CNKI文献

本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反...

刘平 李炳宗... 《半导体学报》 1992年05期 期刊

关键词: 固相反应 / CoSi_2 / 薄层电阻 / 非均相反应

下载(45)| 被引(4)

固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究  CNKI文献

木工作研究了固相反应形成硅化钛薄膜的方法及特性.在Ti/Si热处理过程中,氧沾污是一个影响硅化物形成及特性的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧沾污以形成优良硅化钛薄膜的方法,同时试验了用快速退火技术形成...

洪沨 李炳宗... 《半导体学报》 1987年03期 期刊

关键词: 固相反应 / Ti / 非均相反应 / 粉末样品

下载(59)| 被引(2)

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi_2接触pn结及反应过程中As的行...  CNKI文献

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子...

刘平 李炳宗... 《应用科学学报》 1993年02期 期刊

关键词: CoSi_2薄膜 / Pn结 / As离子注入 / 共退火

下载(37)| 被引(1)

固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~+p浅结技术研究  CNKI文献

通过As+离子注入到由TiN/Co/Ti/Si多层结构因相反应得到的外延CoSi2层中,利用外延硅化物作为扩散源(ESADS),形成了0.1μm的浅n+p结.研究了Cosi2外延薄膜离子注入非晶化后的...

房华 李炳宗... 《半导体学报》 1996年04期 期刊

关键词: 浅结 / 单晶 / 非晶化 / 再结晶

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