作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

锑基化合物半导体集成电路  CNKI文献

锑基化合物半导体集成电路(ABCS IC)是一类国外正在积极开发的超高速、低功耗电路。特别值得注意的是晶格常数为6.1的锑化物,它们的能带隙在很宽的范围内可调,为许多新型功能材料和高性能ABCS电路的研究开发创造了极大...

李松法 《中国电子科学研究院学报》 2007年04期 期刊

关键词: 锑基化合物半导体 / 超高速 / 微波 / 低功耗

下载(94)| 被引(2)

化学汽相淀积(CVD)技术述评  CNKI文献

CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后...

李松法 《半导体情报》 1989年02期 期刊

关键词: CVD / 导体材料 / 介质膜 / 化学汽相淀积

下载(90)| 被引(0)

化学束外延介绍  CNKI文献

化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了MBE的束的属性和MOCVD的控制和采用全汽相源的特点,它综合了两者的优点而使各自的缺点...

李松法 《半导体情报》 1990年03期 期刊

关键词: MOCVD / CBE / MBE / GaAs

下载(58)| 被引(1)

40%氯虫·噻虫嗪(福戈)防治四(2)代稻纵卷叶螟田间药效对比...  CNKI文献

进行40%氯虫·噻虫嗪(福戈)防治四(2)代稻纵卷叶螟田间药效对比试验,结果表明:用40%氯虫.噻虫嗪粒剂(福戈)120 g/hm2具有较好的杀虫效果和保叶效果,持效性较长,可以大面积推广。建议在稻纵卷叶螟卵孵至低龄幼虫高...

李松法 《现代农业科技》 2011年13期 期刊

关键词: 40%氯虫·噻虫嗪(福戈) / 四(2)代稻纵卷叶螟 / 药效

下载(30)| 被引(0)

集成电路发展15年预测  CNKI文献

集成电路发展15年预测1975年,戈登·摩尔(GordonMoore)在国际电子器件会议上发表的著名演讲中预言:“集成电路芯片的复杂程度将以每年增加一倍的速度增长。”这种增长归因于电路芯片尺寸不断...

李松法 《半导体情报》 1995年04期 期刊

关键词: 预言 / 著名演讲 / 特征尺寸 / 芯片尺寸

下载(68)| 被引(0)

美国国防部1989年关键技术计划  CNKI文献

根据1988年8月29日美国颁布的政府公法第100—456号,即“1989财年国防部授权法案”的要求,国防部每年3月15日以前要提交一份关键技术计划,首次提交这样的计划应在1989年。美国国防部在组织一系列的专家会议研讨之后,对...

李松法 《半导体情报》 1990年05期 期刊

关键词: 关键技术 / 国防部 / 美国 / 美利坚合众国

下载(34)| 被引(0)

软 X 射线光刻掩模制备技术  CNKI文献

本文描述了用硅的各向异性择优选择腐蚀与金属剥离技术相结合,研制软 x 射线光刻用的金-硅掩模的基本实验结果。

李松法 霍玉香 《半导体情报》 1980年04期 期刊

关键词: 掩模 / 制备过程 / 金属剥离 / 硅膜

下载(7)| 被引(1)

强化管理 盘活资金  CNKI文献

社会主义市场经济的发展,要求企业在生产经营活动中,必须建立合理、科学、有序的内部财务管理机制,既要把国家赋予企业的理财权具体化、制度化,又要强化企业内部自我约束机制。我厂财务部门按照这一要求,近两年来以资...

李松法 《工业会计》 1995年11期 期刊

关键词: 财务部门 / 资金占用 / 资金运用 / 货款

下载(1)| 被引(0)

宽禁带半导体器件的发展  CNKI文献

概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以...

毕克允 李松法 《中国电子科学研究院学报》 2006年01期 期刊

关键词: 宽禁带半导体器件 / 相控阵雷达 / 电子战系统 / 水下光通信

下载(1714)| 被引(42)

100GHz InP MMIC放大器开发成功  CNKI文献

美国Varian公司开发成功单级5~100GHz单片毫米波集成电路(Monolithic Millimeter-Wave Integrated Circuit,MMIC),其平均增益大于5.0dB。据R.Majidi-Ahy等在最近的IEEE-MTT学报上的论文所述,这种MMIC分布放大器具有迄...

李松法 《半导体情报》 1990年05期 期刊

关键词: MMIC / 毫米波集成电路 / 单片 / 分布放大器

下载(13)| 被引(0)

GaAs MESFET直流雪崩击穿的理论分析  CNKI文献

用非稳态电子动力学并将电离系数取作为电子平均能量的函数的方法研究了GaAs MESFET中的沟道雪崩击穿。计算了在击穿时不同形状的高场畴和局部峰值电场,它们依赖于工艺参量、器件几何结构以及偏置条件。给出了一些设计...

R.Wkoblewski 李松法 《半导体情报》 1984年02期 期刊

关键词: 击穿电压 / 器件 / 夹断 / 栅压

下载(31)| 被引(0)

用离子注入方法制作的大功率GaAsFET  CNKI文献

采用离子注入形成沟道层和n~+欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n~+区,器件的烧毁特性得到了改善。业已表明烧毁电压可以高于40V,器件的源漏饱和电流(I_(dss))和射频输出功率比用金...

S.Toshio 李松法 《半导体情报》 1986年05期 期刊

关键词: FET / 离子注入 / 离子掺杂 / 内匹配

下载(4)| 被引(0)

芯片级集成微系统发展现状研究  CNKI文献

概要介绍了芯片级集成微系统的内涵和近期发展态势,分析了它的技术特点,对相关的新技术、新结构和新器件的技术问题作了初步的分析与探讨,为发展新一代微小型电子武器系统提供一部分技术信息。

李晨 张鹏... 《中国电子科学研究院学报》 2010年01期 期刊

关键词: 微电子器件 / 光电子/光子器件 / MEMS/NEMS器件 / 异构集成

下载(707)| 被引(10)

栅条宽度对GaAsMESFET增益的影响  CNKI文献

GaAsFFT 的特性分析中通常忽略了器件中信号沿栅宽方向传播所产生的影响。但是,当单个栅条的宽度很大时,这种传播的影响会使得器件的小信号增益出现不能接受的下降。用分布元件 FET 模型的计算预言:对于典型的 X 波段...

W.R.Frensley 李松法 《半导体情报》 1981年01期 期刊

关键词: 栅条 / GaAsMESFET / 小信号增益

下载(23)| 被引(1)

用阶梯状栅结构改善GaAs MESFET漏电导  CNKI文献

本文描述了一种新的阶梯状栅GaAs MESFET结构,与常规凹槽栅结构相比,它的漏电导很低,为了降低漏电导,用二维器件模拟使得与栅结构有关的器件参量最佳化。根据这些最佳化的器件参量制造的器件显示出很低的漏电导。降低...

Masaaki Tomizawa 李松法 《半导体情报》 1985年01期 期刊

关键词: MESFET / 器件 / 最佳化 / 最优化

下载(19)| 被引(0)

多层封装结构中的电阻计算  CNKI文献

本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法,用于计算多层封装结构中,具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。

任怀龙 吴洪江... 《电子学报》 1995年05期 期刊

关键词: 边界元 / 矩量法 / 多接触点 / 内外边界

下载(28)| 被引(1)

一种新的三端微波功率放大器的理论  CNKI文献

从理论和实验两个方面论证了一种新的0.5~3.0千兆赫三端线性功率放大器的可能性。这种新型放大器在结构上与一个 n-p-n 双极晶体管相类似,但是通过集电区中的雪崩倍增和渡越时间的采用而提高了附加功率增益。两种器件...

Se Puan Yu 李松法 《半导体情报》 1976年10期 期刊

关键词: 发射极 / 空穴 / 载流子(半导体) / 发射区

下载(8)| 被引(0)

GaAsFET接触用贯穿晶片的穿孔连接的反应离子刻蚀(RIE)  CNKI文献

贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层正性光刻胶作掩模与反应离子刻蚀相结合的用法。这种工艺提供可控的穿孔剖面,适用于贯...

C. B. Cooper 李松法 《半导体情报》 1988年04期 期刊

关键词: 反应离子刻蚀 / 掩模 / 厚层 / 地层

下载(15)| 被引(0)

GaAs MESFET中限制功率的击穿效应  CNKI文献

现代的GaAs MESFET在输入功率增大时,都有输出功率饱和的现象。实验表明:这种功率饱和是由正向栅电导和反向栅-漏击穿等因素共同造成的。通过对平面结构和凹槽栅FET的二维数值模拟详细地研究了反向击穿电压。这些模拟...

William R. Frensley 李松法 《半导体情报》 1983年03期 期刊

关键词: 凹槽栅 / 平面结构 / 击穿电压 / 耗尽层

下载(6)| 被引(0)

Ku波段2W单片GaAs FET放大器  CNKI文献

设计并制造出一种单片三级Ku波段GaAs FET功率放大器。外延层是用分子束外延生长的,FET具有源覆盖的几何结构和带n~+边缘的沟道。放大器在16.5GHz下,以12dB的增益和20%的效率获得了高达2W的输出功率。

H. M M. asksey 李松法 《半导体情报》 1986年02期 期刊

关键词: 放大器 / 微波性能 / 电子设备 / Ku

下载(5)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势

热门学者(按发文篇数排行)

相关机构

轻松读懂《孙子兵法》