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硅单晶掺杂技术探讨  CNKI文献

一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。因此必须采用一定...

曾世铭 《稀有金属》 1979年03期 期刊

关键词: 单晶炉 / 电炉 / 杂质浓度 / 掺杂剂

下载(104)| 被引(2)

大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨  CNKI文献

一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品

曾世铭 王喜民 《稀有金属》 1980年01期 期刊

关键词: 区熔硅单晶 / 大直径 / 单晶棒 / 晶体

下载(106)| 被引(1)

Φ100mm重掺砷〈111〉硅单晶的制备  CNKI文献

通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验,研究了重掺砷<111>硅单晶的位制工艺,制备出无位错的Φ100mm单晶,成品率达33.85%。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。

曾世铭 常青... 《稀有金属》 1995年04期 期刊

关键词: 重掺杂 / / 硅单晶 / 直拉法

下载(94)| 被引(0)

φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺  CNKI文献

一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优...

曾世铭 王大平... 《稀有金属》 1990年02期 期刊

关键词: 氧含量 / 单晶 / 轴向 / 晶体

下载(34)| 被引(2)

国外半导体硅单晶生产情况和发展动向  CNKI文献

一、前言 半导体硅具有电阻率范围广、温度特性好、氧化物的掩蔽性能优良等特点。因而自1950年第一只硅晶体管问世以来,世界各国对硅材料的科研、生产十分重视。在多晶硅的制备方法上曾采用过SiCl_4锌还原法、SiCl_4氢...

曾世铭 《稀有金属》 1978年04期 期刊

关键词: 单晶炉 / 硅材料 / 装料量 / 电炉

下载(60)| 被引(0)

提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究  CNKI文献

(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单...

曾世铭 张鲁... 《稀有金属》 1990年03期 期刊

关键词: 单晶 / 电阻率 / 低温 / 晶形

下载(42)| 被引(0)

Effect of Growth Parameters on Core Length of ...  CNKI文献

EffectofGrowthParametersonCoreLengthofΦ76.2mmHeavilySb-dopedSiCrystalsZengShiming,HeLin,WangJunyi,Ch...

曾世铭 何林... 《RARE METALS》 1995年02期 期刊

关键词: Heavily / Sb-doped / Si / crystals

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国外半导体硅单晶生产技术的现状和动态  CNKI文献

本文共分六节。〈一〉前言:硅单晶自五十年代开始研制和生产以来,已有三十年的历史了。单晶直径从≤1英吋,逐渐增大到4—5英吋。炉装料量≤1公斤增加到20~30公斤,最大达60~100公斤。在器件领域,16K,64K 位的集成电路...

曾世铭 《人工晶体》 1982年Z1期 期刊

关键词: 硅单晶 / 单晶炉 / 电炉 / 生产能力

下载(57)| 被引(0)

群策群力 勇攀高峰  CNKI文献

在邓小平同志建设有中国特色的社会主义市场经济理论指导下,伟大祖国在政治、经济和科技等领域都取得了举世瞩目的成就。我们金鑫公司的全体员工正是在改革开放大潮的推动下,走上这条为发展我国的半导体硅材料工业而努...

曾世铭 《科技与企业》 1995年02期 期刊

关键词: 区熔硅单晶 / 祖国 / 引进设备 / 生产能力

下载(6)| 被引(0)

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定  CNKI文献

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青,曾世铭,何林,王君毅(北京有色金属研究总院100088)关键词:硅单晶,锑,掺杂,蒸发速率,测定(一)实验重掺锑硅单晶是在CG-3000型直拉单晶炉上研制...

常青 曾世铭... 《稀有金属》 1995年03期 期刊

关键词: 硅单晶 / / 掺杂 / 蒸发速率

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单晶硅悬浮区熔炉的发展和设计要点  CNKI文献

自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四分之三以上是用直拉法生产的,主要用于各种规模和类型的集成电路、分立元件和光电器件上...

王喜民 曾世铭 《稀有金属》 1983年06期 期刊

关键词: 水平移动 / 夹持机构 / 区熔单晶 / 晶体

下载(114)| 被引(0)

Growth Conditions of Φ100 mm n <111> FZ Silicon Singl...  CNKI文献

GrowthConditionsofΦ100mmn<111>FZSiliconSingleCrystalZhouQigang,ZengShiming,ZhangFuzhen,ChenYungangan...

周旗钢 曾世铭... 《RARE METALS》 1995年02期 期刊

关键词: e / Float-zone / single / crystal

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高稳定性单晶硅太阳能电池  CNKI文献

对于硼掺杂的Cz法生长的单晶硅太阳能电池,当它暴露于光照或在黑暗中注入少数载流子时,电池性能会衰减,并最终达到一个稳定的效率。这种通常叫做光致衰减的现象为人们所熟知已经快30年了,其原因是Cz硅材料替位硼和间隙...

汪义川 李剑... 第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代 2008-09-19 中国会议

关键词: Cz单晶硅 / 太阳能电池 / / 光致衰减

下载(387)| 被引(0)

高光电转换效率,无衰减的太阳电池硅单晶的研制  CNKI文献

本文介绍了高效率,无衰减太阳电池硅单晶的研制和电池性能的检测。

曾世铭 冯... 第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代 2008-09-19 中国会议

关键词: 镓掺杂硅单晶 / 转换效率 / 无衰减

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直拉单晶硅生长过程中的控氧技术研究及标准  CNKI文献

由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数。通过研究能够分析出直拉单硅晶生产中氧杂质引入机理及其对晶体质量影响的基础上,进一步的讲述通过对氩气流量以及炉内...

陈家骏 邹凯... 《中国标准化》 2017年04期 期刊

关键词: 直拉硅单晶 / 控氧技术 / 均匀性 / 磁场

下载(130)| 被引(1)

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