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电子元器件失效分析及技术发展  CNKI文献

本文以集成电路为代表介绍了元器件失效分析方法、流程、技术及发展,失效分析是元器件质量、可靠性保证的重要环节,随着元器件设计与制造技术的提高以及失效分析技术及分析工具水平的提高,对元器件失效模式及失效机理...

恩云飞 罗宏伟... 《失效分析与预防》 2006年01期 期刊

关键词: 元器件 / 集成电路 / 失效分析

下载(1357)| 被引(51)

非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型  CNKI文献

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传...

恩云飞 刘远... 《西安电子科技大学学报》 2014年05期 期刊

关键词: 非晶硅 / 薄膜晶体管 / 关态电流 / 泄漏电流

下载(180)| 被引(1)

超深亚微米集成电路可靠性技术  CNKI文献

就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证...

恩云飞 孔学东 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年S1期 期刊

关键词: 超深亚微米集成电路 / 可靠性 / 高k栅介质 / 金属栅

下载(445)| 被引(5)

电子回旋共振等离子体技术新进展  CNKI文献

叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有...

恩云飞 杨银堂... 《西安电子科技大学学报》 1995年04期 期刊

关键词: 电子回旋共振 / 等离子体 / 反应离子刻蚀 / 化学气相淀积

下载(238)| 被引(7)

栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取  CNKI文献

采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验,并完  成了1/E模型参数提取,给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型,较好地解释了试验结  果。

恩云飞 孔学东... 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年01期 期刊

关键词: 栅氧化层 / 可靠性评价 / 模型 / 参数提取

下载(228)| 被引(7)

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响  CNKI文献

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。

恩云飞 何玉娟... 《固体电子学研究与进展》 2010年03期 期刊

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响  CNKI文献

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的...

恩云飞 刘远... 《北京航空航天大学学报》 2013年05期 期刊

关键词: 绝缘体上硅 / 部分耗尽 / 关态电流 / 电离辐射

下载(82)| 被引(0)

KGD技术发展与挑战  CNKI文献

军用和民用电子系统中模块化和小型化发展的迫切需求使裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠性保证一直是人们关注的热点。本文论述了国外KGD技术发展现状,以及国内发展K...

恩云飞 黄云 《电子质量》 2003年09期 期刊

关键词: 裸芯片 / 已知良好芯片(KGD) / 可靠性

下载(85)| 被引(8)

nMOSFET低能X射线辐照特性研究  CNKI文献

讨论了 MOSFET 的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X 射线辐照试验,分析了不同 X 射线辐照总剂量、不同剂量率对 nMOSFET 单管的转移特性以及阈值电压的影响,结果表明 X 射线辐照对 nMOSFET 的阈值电压变化的影响与~(60)...

恩云飞 罗宏伟 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年06期 期刊

关键词: 低能 / X / 射线 / 总剂量

下载(52)| 被引(2)

CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计  CNKI文献

本文对CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述,包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等,使工艺评价PCM和可靠性评估REM测试结构发展成为工艺监测、工艺控...

恩云飞 孔学东... 《电子产品可靠性与环境试验》 1998年03期 期刊

关键词: CMOS / PCM / REM / 规范设计

下载(208)| 被引(0)

一种新的失效分析技术——光辐射检测技术  CNKI文献

光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、...

恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年04期 期刊

关键词: 光辐射显微镜(EMM) / VLSI器件 / 失效分析

下载(88)| 被引(1)

电子元器件失效模式影响分析技术  CNKI文献

在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了FMMEA技术分析软件,为元器件的研制和使用中...

黄云 恩云飞 《电子元件与材料》 2007年04期 期刊

关键词: 电子技术 / 元器件 / 可靠性 / 失效模式及机理影响分析

下载(816)| 被引(34)

电子元器件的贮存可靠性及评价技术  CNKI文献

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮...

杨丹 恩云飞... 《电子元件与材料》 2005年07期 期刊

关键词: 电子技术 / 贮存可靠性 / 综述 / 长期贮存试验

下载(824)| 被引(32)

绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生...  CNKI文献

基于~(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性...

彭超 恩云飞... 《物理学报》 2018年21期 期刊

关键词: 绝缘体上硅 / 总剂量效应 / 寄生效应 / 实验和仿真

下载(136)| 被引(1)

塑封微电路应用于高可靠领域的风险及对策  CNKI文献

从塑封微电路(PEM)的物理性能和主要可靠性问题出发,介绍了将PEM应用于高可靠领域(如航空、航天、军用)中可能产生的风险,探讨了为降低使用风险而采用的升级筛选、质量鉴定、可靠性评价等方法和技术手段。

来萍 恩云飞... 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年04期 期刊

关键词: 塑封微电路 / 温度适应性 / 升级筛选 / 质量鉴定

下载(196)| 被引(19)

先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响  CNKI文献

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。...

刘远 恩云飞... 《半导体技术》 2006年10期 期刊

关键词: 辐射效应 / 总剂量 / 金属-氧化物-半导体场效应晶体管

下载(290)| 被引(14)

电子元器件的贮存可靠性及评价技术  CNKI文献

贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面。阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。

杨丹 恩云飞... 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年S1期 期刊

关键词: 贮存可靠性 / 长期自然贮存 / 极限应力试验 / 加速贮存寿命试验

下载(411)| 被引(12)

电磁泄漏型硬件木马设计与检测  CNKI文献

针对集成电路在设计或制造过程中容易受到硬件木马的攻击,从而威胁芯片与硬件安全性的问题,介绍了硬件木马的基本原理及其分类方法,在此基础上设计了一种电磁泄漏型硬件木马,该木马电路能通过电磁发射的方式泄漏密码芯...

谢海 恩云飞... 《广东工业大学学报》 2013年04期 期刊

关键词: 硬件木马 / 芯片安全 / 现场可编程门电路(FPGA) / 检测

下载(160)| 被引(5)

半导体工艺新发展概述  CNKI文献

介绍了目前半导体新工艺的发展情况。在特征尺寸不断缩小的情况下,产生新的材料和技术是必要的,但也带来了相关的可靠性问题。简介了应变硅材料、栅介质的工艺及铜互连的可靠性,并对新的研究方向做了介绍。

齐领 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年03期 期刊

关键词: 半导体工艺 / 应变硅 / 栅介质 / 铜互连

下载(930)| 被引(4)

单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究  CNKI文献

电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果,以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理,以失效物理为基础,通过高加速应力试验进行寿命评价研究...

刘建 恩云飞... 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年04期 期刊

关键词: 元器件 / 贮存寿命 / 失效机理

下载(403)| 被引(10)

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