作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析  CNKI文献

本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时...

徐葭生 张明宝... 《半导体学报》 1986年06期 期刊

关键词: SRAM / NMOS-SRAM / 触发灵敏度 / 电压放大倍数

下载(33)| 被引(0)

1Mbit汉字ROM设计和分析  CNKI文献

本文描述一种专用于汉字字符发生器的1Mbit ROM的设计。文中对各部分电路设计作了详细的分析,指出设计中的特点。对研制成功的样品进行交、直流特性测试,结果表明电路性能完全达到设计和使用的要求。

徐葭生 王嵩梅... 《电子学报》 1993年05期 期刊

关键词: 只读存储器 / 汉字字符 / 存储单元

下载(25)| 被引(0)

一种低功耗的1024位MOS随机存储器  CNKI文献

本文介绍一种1024位MOS随机存储器电路。采用P沟硅栅工艺,标准的四管单元结构。电路设计的主要特点是:1.在地址译码器中串入由内部时钟控制的接地管,完全消除了直流通路,使功耗大大降低;2.地址码封锁...

徐葭生 李瑞伟... 《清华大学学报(自然科学版)》 1978年02期 期刊

关键词: 地址码 / 主要特点 / 地址译码器 / 字线

下载(23)| 被引(1)

一种用于16K-SRAM的3μMOS工艺  CNKI文献

为研制 VLSI16K-SRAM,开发了一种 3μNMOS双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点,例如窄沟效应,浅结欧姆接触,栅氧化层质量等,得到解决。实验证明,这...

徐葭生 张宗铭... 《清华大学学报(自然科学版)》 1987年01期 期刊

关键词: VLSI / 16K-SRAM / 3微米工艺

下载(20)| 被引(0)

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命  CNKI文献

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表...

徐葭生 《电子学报》 1963年04期 期刊

关键词: 表面复合 / 脉冲前沿时间 / 扩散项 / 复合(半导体)

下载(30)| 被引(0)

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命  CNKI文献

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除...

徐葭生 《清华大学学报(自然科学版)》 1963年04期 期刊

关键词: 表面复合 / 脉冲前沿 / 复合(半导体) / 载流子

下载(23)| 被引(0)

BiCMOS技术  CNKI文献

BiCMOS是继CMOS后的新一代高性能VLSI工艺。CMOS以低功耗、高密度成为80年代VLSI的主流工艺。随着尺寸的逐步缩小,电路性能不断得到改进,但是当尺寸降到1μm以下时,由于载流子速度饱和等原因,它的潜力受到很大的限制。...

徐葭生 《固体电子学研究与进展》 1988年04期 期刊

关键词: VLSI / BiCMOS / 低功耗

下载(42)| 被引(1)

MOS随机存贮器(RAM)的发展动向  CNKI文献

一、256K-DRAM是现发展阶段完成的标志RAM是计算机的关键组成部件,随着计算机向智能化发展,对RAM的需求将成百倍地增长。因此,对RAM的开发研究成为国际上半导体企业界的竞争焦点,发展十分迅速。过去十年,RAM的单片集成...

徐葭生 《微处理机》 1985年01期 期刊

关键词: 软失效率 / 集成度 / VLSI / 日本日立公司

下载(6)| 被引(0)

一种新型的FFT地址发生器集成电路的设计  CNKI文献

本文通过对FFT计算流图的分析,得到了FFT计算过程中连续参加蝶形运算的结点数据和三角常数WNK的地址产生规律,并总结出逻辑表达式.在此基础上设计了一种新型的FFT地址发生器.与传统设计方法相比,减少...

罗文哲 徐葭生 《电子学报》 1994年05期 期刊

关键词: FFT / 地址发生器 / 传输门逻辑 / 筒式移位器

下载(205)| 被引(32)

雷达动目标检测(MTD)专用集成电路的设计  CNKI文献

本文设计出一种用于雷达数字信号处理的动目标检测(MTD)专用集成电路.该电路采用有限冲激响应(FIR)滤波器结构,并配以乒乓存储器及流水线乘法器,具有运算速度快、结构简单等优点.经逻辑和电路模拟,证明...

王月明 徐葭生 《半导体学报》 1994年01期 期刊

关键词: 滤波器 / 电子设备 / 电路模拟 / MTD

下载(175)| 被引(7)

实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究  CNKI文献

本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增...

刘军 徐葭生 《半导体学报》 1989年05期 期刊

关键词: 开启电压 / 电路模拟 / 短沟 / 小尺寸效应

下载(26)| 被引(2)

小波变换的电路集成  CNKI文献

小波变换是信号分析和处理中的重要方法.本文设计了一种实现小波变换的集成电路.它充分利用了算法本身的特点,采用电路复用的方法,节省了电路单元的需要量,并且,采用并行和流水线的电路结构,使得工作速度较快....

张永梅 徐葭生 《半导体学报》 1995年09期 期刊

关键词: 小波变换 / 时钟周期 / 下降沿 / 电路结构

下载(73)| 被引(7)

实用于CAD的小尺寸MOSFET解析模型  CNKI文献

一、引言 SPICE电路模拟程序自用于IC的辅助设计已有十多年历史,它在IC的发展过程中起了很大作用。但随着IC向超大规模发展,过去并未能引起人们给予足够注意的,存在于MOSFET中的小尺寸效应已越来越严重,而SPICE程序中...

刘军 徐葭生 《固体电子学研究与进展》 1988年04期 期刊

关键词: MOSFET / 埋沟 / 增强型 / 沟道区

下载(36)| 被引(0)

实用于电路模拟的小尺寸MOSFET新简化模型  CNKI文献

本文介绍了一个新的简单且比较精确的半经验型小尺寸MOS管模型。在此模型中,表面沟型管与埋沟型管分别予以考虑,同时对各种小尺寸效应进行了适当的修正。模型公式中引入的各参数均具有明确的物理意义,使得此模型公式可...

刘军 徐葭生 《微电子学与计算机》 1989年08期 期刊

关键词: 沟道区 / 载流子迁移率 / 纵向电场 / MOSFET

下载(36)| 被引(0)

一种高效地实现运动估计算法的VLSI结构  CNKI文献

本文提出了一种全新的低延滞、高吞吐率、可编程的VLSI树型结构,它能十分有效地实现FSA和TSSA运动估计算法,该结构比其它树型结构少1/3的处理单元(PE),而且PE单元的延时减少一半。独特的ME窗...

舒清明 徐葭生 《电子学报》 1995年05期 期刊

关键词: 视频图象编码 / 运动估计 / 运动补偿 / 块匹配算法

下载(36)| 被引(5)

NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究  CNKI文献

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.

杨肇敏 徐葭生 《半导体学报》 1989年07期 期刊

关键词: 短沟DD / MOS管 / 热载流子效应

下载(36)| 被引(4)

CMOS-DRAM的性能和设计  CNKI文献

本文对近期发展起来的CMOS-DRAM的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在N阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用CMOS的特点使外围电路静态化既可以简化电路,又能提高电路速度和可靠性...

王嵩梅 徐葭生 《清华大学学报(自然科学版)》 1988年01期 期刊

关键词: CMOS / DRAM / 静态 / 动态

下载(127)| 被引(0)

集成电路智能卡──—种新型的信息处理工具  CNKI文献

简单介绍了什么是智能卡,并回顾了智能卡产生的历史,着重讨论了智能卡的四大基本功能:信息存储、身份鉴别、数字签名和文电加密,在此基础上介绍了智能卡的一些主要应用,指出了未来智能卡的发展方向。

盖伟新 徐葭生 《地质科技管理》 1995年03期 期刊

关键词: 智能卡 / 数字签名 / 身份鉴别 / 对称密码体制

下载(38)| 被引(3)

一种采用改进Domino加法器的高速流水线乘法器  CNKI文献

乘法器是数字信号处理系统中的关键。流水线乘法器可以以较小的代价获得较高的平均速度。本文给出了流水线乘法器的结构;提出了两种改进型Domino加法器电路;对改进型电路作了分析和模拟。模拟结果表明,采用新的改进型...

王月明 徐葭生 《半导体学报》 1993年01期 期刊

关键词: 加法器 / 流水线 / 求和器 / 流水生产线

下载(69)| 被引(0)

一种用于公钥密码系统的新型可变Radix快速乘法硬件算法  CNKI文献

本文提出了一种新型的可变radix快速乘法硬件算法,算法中,采用了二进制数的冗余数表示方法,使二个大数(大到512bit位或更大)的相加在O(1)时间内完成而无需等待进位;其次,提出了可变radix快...

盖伟新 徐葭生 《电子学报》 1995年11期 期刊

关键词: 冗余符号数 / 二进制冗余数 / 模乘运算 / 硬件算法

下载(53)| 被引(1)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势

热门学者(按发文篇数排行)

相关机构

轻松读懂《孙子兵法》