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电子器件可靠性的噪声表征方法  CNKI文献

随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展 ,传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明 ,对于大多数电子器件 ,噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映 ,噪声检测方法...

庄奕琪 孙青 《微电子技术》 2000年02期 期刊

关键词: 电子器件 / 噪声 / 可靠性 / 缺陷

下载(275)| 被引(21)

电子器件可靠性的噪声表征方法  CNKI文献

随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展,传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明,对于大多数电子器件,噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,噪声检测方法...

庄奕琪 孙青 《电子学报》 1996年02期 期刊

关键词: 电子器件 / 噪声 / 可靠性 / 缺陷

下载(271)| 被引(30)

1/f噪声之谜  CNKI文献

1/f 噪声是一种普遍存在于物理、生物、社会、医学、天文、地理等系统中的自然现象,人们为寻找它的产生机制孜孜以求近百年。虽然至今尚不能找到形成这种噪声的统一机制。但已发现1/f 噪声具有一种截然不同的两...

庄奕琪 马中发... 《世界科技研究与发展》 1999年04期 期刊

关键词: 1/f噪声 / 缺陷 / 美学 / 子波

下载(492)| 被引(13)

电子器件低频噪声谱成分的全参数优化分析  CNKI文献

本文提出的梯度寻优-线性展开算法,可从电子器件低频噪声频谱中提取得到1/f噪声、g-r噪声和白噪声的全部6个谱成分参数值。将该方法成功地用于半导体器件低频噪声谱成分分析,表明其具有广泛的收敛性和较高的拟合精度。

庄奕琪 孙青... 《计量学报》 1996年02期 期刊

关键词: 低频噪声 / 电子器件 / 优化分析

下载(139)| 被引(13)

红外探测器低频噪声长时间监测系统设计  CNKI文献

针对锰钴镍氧化物薄膜型红外探测器的结构特点,提出了一种红外探测器低频噪声长时间监测系统设计方案,并进行了测试验证。监测系统采用低噪声偏置电源激发红外探测器的低频噪声,然后将该低频噪声信号通过设计的高性能...

胡为 庄奕琪... 《电子测量与仪器学报》 2015年02期 期刊

关键词: 锰钴镍氧化物薄膜 / 红外探测器 / 低频噪声

下载(216)| 被引(14)

双极晶体管表面1/f噪声的研究  CNKI文献

本文从表面载流子数涨落机构出发,建立了双极晶体管表面i/f噪声电流的完整理论关系式.测量了噪声与双极晶体管的基区表面势、表面复合电流、发射区周长和电流放大系数等主要参数的依赖关系.理论规律与实验结果符合良好...

庄奕琪 孙青 《半导体学报》 1987年06期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 噪声电流 / 发射区 / 基区

下载(96)| 被引(9)

集成运算放大器参数时漂的1/f噪声预测方法  CNKI文献

寿命试验和噪声测试结果表明,如果集成运算放大器的主要失效模式是输入偏置电流或失调电流随时间的漂移,则这种漂移量与运放的1/f噪声电流具有强相关性,二者近似呈正比关系。理论分析表明,这种漂移可归因于作为1/f噪声...

庄奕琪 孙青... 《电子科学学刊》 1996年04期 期刊

关键词: 1/f噪声 / 运算放大器 / 漂移 / 氧化层陷阱

下载(156)| 被引(4)

用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性  CNKI文献

负温偏不稳定性是MOS器件最重要的可靠性问题之一。本文从实验上发现MOS-FET的1/f噪声与其负温偏不稳定性相关,初始1/f噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。理论分析表明,导致负温偏不稳定性...

庄奕琪 孙青... 《电子学报》 1996年05期 期刊

关键词: 1/f噪声 / 不稳定性 / MOSFET / Si-SiO_2界面

下载(121)| 被引(5)

微组装技术的发展现状与未来展望  CNKI文献

微组装技术是继表面安装技术之后的第五代电子组装技术。本文综述了微组装技术当前的发展概况,对该技术未来十年的发展方向和趋势作了预测,并着重介绍了其代表性产品多芯片组件以及关键技术。

庄奕琪 孙青 《电子科技》 1995年01期 期刊

关键词: 微组装 / 多芯片组件 / 多层基板

下载(287)| 被引(3)

Si-SiO_2界面陷阱引起的双极晶体管h_(FE)漂移的模型与模拟  CNKI文献

本文表明,Si-SiO_2界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子存在慢俘获作用,这将导致npn型双极晶体管电流放大系数h_(FE)随时间的正向漂移。从这种物理机制出发,建立了相应的数学模型。经计算机模拟分析,求得了h_(FE)随...

庄奕琪 孙青... 《固体电子学研究与进展》 1989年02期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 表面势 / 漂移量 / 发射结

下载(44)| 被引(9)

双极型器件慢界面陷阱能量分布的1/f噪声分析方法  CNKI文献

位于Si/SiO2界面附近的具有长时间常数的载流子陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响.根据笔者建立的双极晶体管表面1/f噪声分析模型,通过测量栅控晶体管1/f噪声的栅压特性,可获得这种慢界面陷阱密度...

庄奕琪 孙青... 《半导体学报》 1996年06期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 噪声分析模型 / 能量分布 / 分布(力学)

下载(68)| 被引(3)

双极晶体管储存寿命的1/f噪声预测方法  CNKI文献

针对小功率双极晶体管进行的储存寿命试验和噪声测试结果表明,该器件在储存条件下的主要失效模式是电流放大系数β的退化.β随时间的减少量与其初始1/f噪声电流具有强相关性,近似是对数正比关系.由此提出了利用...

庄奕琪 孙青 《应用科学学报》 1996年04期 期刊

关键词: 1/f噪声 / 双极晶体管 / 储存寿命 / 退化

下载(77)| 被引(2)

亚表面齐纳基准二极管可靠性的1/f噪声预测方法  CNKI文献

寿命试验和噪声测试结果表明,亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化,同时发现失效器件皆为高初始1/f噪声器件,而且其寿命与初始1/f噪声电压近似成反比关系.机理分析...

庄奕琪 孙青 《半导体学报》 1996年08期 期刊

关键词: 二极管 / 亚表面 / 寿命试验 / 噪声测试

下载(83)| 被引(1)

双极晶体管g-r噪声模型与深能级分析  CNKI文献

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生g-r噪声机构,建立了双极晶体管g-r噪声定量分析模型,从而对实验上观察到的双极晶体管g-r噪声的偏置特性作出了合理的解释.基于该模型,提出了一种利用g-r噪声测...

庄奕琪 孙青... 《电子学报》 1996年08期 期刊

关键词: g-r噪声 / 双极晶体管 / 深能级

下载(68)| 被引(2)

一种新型双通道MOS开关栅压自举电路  CNKI文献

设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道MOS开关栅压自举电路,该电路采用同时自举NMOS和PMOS的并行结构,不但降低了MOS开关的导通电阻值,同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻;考虑了器件可靠性要求...

景鑫 庄奕琪... 《西安电子科技大学学报》 2014年03期 期刊

关键词: 自举电路 / 线性CMOS开关 / 常数导通电阻 / 电荷泵

下载(571)| 被引(10)

追求舒适享受——家庭影院的座位设计  CNKI文献

与聆听高保真音响不同的是,家庭影院应该以看为主,以听为辅,所以家庭影院的座位设计首先应满足最佳视觉效果的要求,而最佳听觉效果的要求主要是通过调整音箱的摆位来实现。这一点常常被许多人所忽视。

庄奕琪 《家庭影院技术》 2000年04期 期刊

关键词: 家庭影院 / 座位

下载(118)| 被引(0)

环境音效让你身临其境  CNKI文献

曾几何时,当电脑爱好者在为电脑可听音乐、可看影碟等新颖功效而欣喜万分的时候,音响发烧友却在为电脑的音质不尽人意而发出阵阵抱怨。就在一年多以前,笔者还曾撰文感叹多媒体电脑与高保真音响“鱼与熊掌不能兼得”所...

庄奕琪 《实用影音技术》 1999年03期 期刊

关键词: 环境音效 / 环绕声系统 / 扬声器系统 / 组合扬声器

下载(79)| 被引(0)

MOSFET表面1/f噪声的研究  CNKI文献

本文从表面载流子数涨落机构出发,对MOSFET的1/f噪声性质作了较全面的理论和实验研究。将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的偏置区,包括沟道均匀区,线性区和饱和区。对MOSFET的等效输入噪声电压的频率特性、偏置...

庄奕琪 孙青 《电子学报》 1988年02期 期刊

关键词: MOSFET / 频率特性 / 频率响应 / 沟道

下载(94)| 被引(0)

“维纳斯”启示录  CNKI文献

美国微软公司董事长兼首席执行官比尔·盖茨于今年3月10日在深圳发布和演示了该公司专为中国市场开发的新产品“维纳斯”,而实施该产品在中国的市场化行动被命名为“维纳斯计划”。这是基于微软开发的嵌入式操作系...

庄奕琪 《电子世界》 1999年06期 期刊

关键词: 维纳斯计划 / 企业 / 比尔·盖茨 / 厂家

下载(16)| 被引(2)

用1/f噪声预测双极晶体管的h_(FE)漂移失效  CNKI文献

对高温贮存和功率老化寿命试验结果的统计分析表明,npn型双极晶体管的电流增益h_(FE)随时间的漂移量与其初始1/f噪声有关.初始1/f噪声越大,则其h_(FE)漂移量也越大.相对漂移量△h_(FE)/h_(FE)与初始1/f噪声谱密度S_(i...

庄奕琪 孙青 《固体电子学研究与进展》 1991年02期 期刊

关键词: 双极晶体管 / 噪声测量 / 漂移量 / 漂移失效

下载(25)| 被引(1)

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