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硅基微波低噪声晶体管2SC3356的ESD潜在性损伤特性研究  CNKI文献

对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行 CB 结反偏注入,研究了其 ESD 潜在性失效规律。在实验中通过监测器件的放大倍数 h_(FE)来表征器件的潜在损伤程度。结果表明在低于损伤阈值的 ESD 作用下,确实可造成晶体管的潜在损...

巨楷如 杨洁... 中国物理学会静电专业委员会第十三届学术年会论文集 2006-06-30 中国会议

关键词: 静电放电 / 潜在性失效 / 双极性晶体管 / 潜在损伤阈值

下载(28)| 被引(0)

ESD对2SC3356造成的积累效应研究  CNKI文献

本文研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件2SC3356造成的潜在性失效。采用人体模型(HBM) 对微波低噪声晶体管2SC3356从 CB 结施加了一系列低电压的 ESD 应力,结果表明:低于损伤阈值的 ESD 应力可以在2SC3356中引...

祁树锋 刘尚合... 中国物理学会静电专业委员会第十三届学术年会论文集 2006-06-30 中国会议

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生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响  CNKI文献

在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高...

徐庆安 张景文... 《人工晶体学报》 2006年02期 期刊

关键词: ZnO薄膜 / 生长温度 / 激光分子束外延 / X射线衍射

下载(161)| 被引(6)

生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响  CNKI文献

在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长...

徐庆安 张景文... 《半导体光电》 2006年03期 期刊

关键词: ZnO / 激光分子束外延 / X射线衍射 / 光致发光谱

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低电压ESD对2SC3356造成的事件相关潜在性失效  CNKI文献

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到...

祁树锋 杨洁... 《河北师范大学学报(自然科学版)》 2007年03期 期刊

关键词: ESD / 微电子器件 / 潜在性失效

下载(59)| 被引(3)

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