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采用MOCVD方法在Si和GaAs衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究  CNKI文献

ZnO是一种具有压电和光电特性的直接宽带隙半导体材料,是人们关注的短波长光电材料的新焦点。其具有高的激子束缚能(60meV),极好的抗辐照性能和化学稳定性能,低的外延生长温度和大尺寸衬底材料等一些独特的优点,有望用...

崔勇国 导师:杜国同 吉林大学 2006-03-01 博士论文

关键词: ZnO / MOCVD / GaAs / 衬底

下载(689)| 被引(2)

采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜  CNKI文献

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光...

崔勇国 张源涛... 《人工晶体学报》 2005年06期 期刊

关键词: 金属有机化学汽相沉积 / ZnO薄膜 / 半导体材料

下载(157)| 被引(1)

采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜  CNKI文献

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光...

张源涛 崔勇国... 《人工晶体学报》 2005年06期 期刊

关键词: ZnO薄膜 / Si衬底 / PL谱 / 异质结

下载(173)| 被引(1)

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