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世界硅材料发展动态  CNKI文献

当前 ,世界硅材料市场的发展趋势主要表现为 :半导体行业新的一轮高速发展正在形成 ,大直径化稳步推进 ,但Φ2 0 0mm时代比预期的更长 ;外延片正成为市场的新宠 ;由于价格下降造成的业绩劣化已经得到缓解 ;多晶硅连年...

宋大有 《上海有色金属》 2000年01期 期刊

关键词: 半导体 / / 单晶硅 / 多晶硅

下载(172)| 被引(21)

世界硅材料工业发展概况  CNKI文献

文中以详尽的数据和事实分析了近几年世界半导体硅材料工业的发展及未来趋势。指出:欧、美、日各国的硅材料工业近几年产量增加、效益看好,仍然是各国的投资热点,大直径化的发展速度非常快,估计1998年Φ200mm硅片...

宋大有 《上海有色金属》 1997年02期 期刊

关键词: 半导体 / / 单晶硅 / 多晶硅

下载(130)| 被引(13)

半导体硅材料进展  CNKI文献

综述了国内外硅材料研究动态,分析了电子工业的发展对硅材料的新要求;讨论了硅单晶大直径化、磁场拉晶、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题及硅材料的市场行情;展望了半导体硅材料的发展前景。

宋大有 《稀有金属》 1995年01期 期刊

关键词: 硅材料 / 大直径单晶 / 粒状多晶 / 磁场拉晶

下载(178)| 被引(5)

纵向磁场拉制硅单晶的工艺研究  CNKI文献

用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场...

宋大有 褚祥康... 《上海金属.有色分册》 1988年03期 期刊

关键词: 硅单晶 / 磁场 / CZ法 / 热对流

下载(78)| 被引(4)

直拉大直径硅单晶热场的设计与测量  CNKI文献

本文较详细地介绍了在利用国产大型硅单晶炉拉制直径80毫米重10公斤硅单晶时的热场设计,给出了大容量的石英坩埚外型尺寸、新型结构的石墨坩埚托几何图形和保温系统材料种类与结构参数,特别提出了一种用钨铼热电偶直接...

宋大有 朱克皓... 《上海金属.有色分册》 1984年04期 期刊

关键词: 硅单晶 / 温度分布 / 温度场 / 分布(力学)

下载(127)| 被引(2)

半导体硅材料的发展概况  CNKI文献

本文根据1991年前的资料综合评述了世界半导体硅材料的发展情况。首先从电子工业的最新发展对硅材料的新要求出发,介绍了硅材料的市场和大直径化、MCZ技术、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题,并展望了发展趋势。

宋大有 《上海金属.有色分册》 1993年02期 期刊

关键词: 半导体 / / 电子工业

下载(131)| 被引(0)

关于硅单晶中的漩涡缺陷  CNKI文献

一、引言自1948年第一只 Ge 晶体管问世以来,半导体材料正式登上了电子工业的历史舞台。但是,Si 以它独到的特性,很快在半导体材料领域内占据了统治地位。从个别器件到 LSI 甚至超 LSI,从小功率到大功率,从开关器件到...

宋大有 《上海有色金属》 1980年01期 期刊

关键词: 填隙原子 / 富勒 / 间隙原子 / 晶体表面

下载(53)| 被引(3)

磁场中直拉单晶工艺技术进展  CNKI文献

附加磁场的熔体直拉法(MCZ法)是近年开发的一种颇有前途的生长优质硅单晶的新工艺技术。由于磁场抑制了硅熔体中的热对流,减少了熔体的温度波动,因而能减少晶体的生长条纹,降低或控制晶体中的氧含量,提高晶体结构完整...

宋大有 曹国琛 《上海金属.有色分册》 1986年02期 期刊

关键词: 硅单晶 / CZ / 生长条纹 / 晶体不完整性

下载(61)| 被引(1)

世界半导体硅工业新动向  CNKI文献

文章从技术和市场两方面概括了近年来世界半导体硅工业的新动向。评述了单晶中的氧行为,CLF-CZ、FCCZ、MCZ等方法的应用,分析了硅工业的发展方向与国际市场的变化。

宋大有 《上海金属.有色分册》 1989年04期 期刊

关键词: 半导体 / / 晶体生长 / CZ硅

下载(26)| 被引(0)

经济情报在情报工作中的地位  CNKI文献

本文基于对科技情报工作任务的再认识,并通过经济情报工作的实践,总结了经济情报工作的主要特点。指出:加强经济情报在情报总体工作中的地位是改革形势的要求。

宋大有 《上海金属.有色分册》 1992年03期 期刊

关键词: 科技情报 / 经济信息

下载(20)| 被引(0)

具有光明前景的镁基和铍基合金  CNKI文献

目前,铸镁合金的研制已由最初的Mg—Al合金发展到高强度的Mg—Zn—Zr—稀土合金,如ZE63A和Mg—Y—RE—Zr合金,如WE54,该合金直到300℃均具有良好的高温性能和抗腐蚀性能,同时改善了浇铸后基体中散粒的腐蚀和消除空洞。

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年03期 期刊

关键词: 镁基 / 复合材料

下载(21)| 被引(0)

可拉制电阻率高度均匀硅单晶的FCCZ法  CNKI文献

FCCZ 法是由日本东芝公司研究开发的一种生产硅单晶的新技术。东芝公司于1988年4月7日首次公布了一些简单数据,宣称:①用本技术生产的硅单晶头、尾电阻率偏差可控制在3%以内;②片子内电阻率偏差可减少到6%;③用这种技...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年05期 期刊

关键词: 硅单晶 / FCCZ / 电阻率 / 电阻系数

下载(22)| 被引(0)

VLSI时代CZ硅单晶工艺的新课题  CNKI文献

VLSI 用硅片几乎全部由 CZ 法(切克芬斯基法)制备。CZ 法硅单晶中将有来自石英坩埚的氧混入,故可以利用 IG 效应。所以,用 CZ 法能否在拉制的长度方向上和截面内把氧含量控制在一定范围内,是个关键。当前 CZ 硅单晶的...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年05期 期刊

关键词: 单晶 / 晶形 / 掺杂剂 / VLSI

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三菱电机开发高效率高寿命GaAs太阳电池  CNKI文献

日本三菱电机LSI研究所最近采用有机金属气相生长技术(MOCVD),开发了平均光电转换效率20%以上(最高效率21.9%)、在宇宙空间放射性辐照下特性劣化小(10年后的输出保存率为83%)、世界最高性能的GaAs太阳电池(电池面积...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年01期 期刊

关键词: 太阳电池 / 劣化 / 平均 / 光电转换效率

下载(14)| 被引(0)

直拉硅单晶中的热致微缺陷  CNKI文献

大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD的一种方法,但硅中的氧并不

宋大有 《上海金属.有色分册》 1982年04期 期刊

关键词: 微缺陷 / 晶体 / 氧含量 / MD

下载(33)| 被引(0)

切克劳斯基硅熔体中液流图式研究  CNKI文献

单晶硅目前是电子工业中最重要的材料。尽管已经知道用直拉法(SZ法)生长的硅单晶的某些特性——例如旋涡缺陷——与熔体流动情况有密切关系,因而迫切要求了解它的熔体流动图,但由于硅熔体是强腐蚀剂,关于它的流体行为...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1982年03期 期刊

关键词: 硅熔体 / 液流 / 组合态 / 图式

下载(21)| 被引(0)

柏美特西公司为金属注模法开辟了光明的前景  CNKI文献

美国加里福尼亚州的柏美特西(Parmatech)公司是北美第一批采用金属粉末注模法的厂家之一,并且已经成为MIM(金属注模法)部件的主要生产者。据报道,该公司正从事二氧化锆、特殊增强复合物、恒范钢和由Carpenter工艺公司...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年04期 期刊

关键词: 注模 / 金属 / 金属材料

下载(5)| 被引(0)

中国有色金属学会材料科学与工程学术会议  CNKI文献

中国有色金属学会材料科学与工程学术会议于1986年6月23日至6月27日在湖南长沙市召开。会议由材料科学与工程学术委员会、粉末冶金及金属陶瓷学术委员会,有色金属加工学术委员会,半导体材料学术委员会共同主持,出席会...

宋大有 曹家义... 《上海金属.有色分册》 1986年04期 期刊

关键词: 材料科学与工程 / 金属陶瓷 / 粉末冶金 / 代表

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预计88年世界半导体设备投资将增长27%  CNKI文献

数据统计公司分析预测了全世界半导体制造设备的资金支出情况,指出:88年全世界半导体设备资金支出将增加27.1%,如按地域划分,则新兴工业国(特别是南朝鲜)的增长率为59.6%,美国为28.7%,西欧为26.3%,日本为20%。日本的半...

宋大有 《上海金属.有色分册》 1988年05期 期刊

关键词: 资金支出 / 南朝鲜 / 投资 / 财政管理

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烤香型山楂汁饮料的研究  CNKI文献

山楂一种药食兼用的水果,具有多种生物功效,但因其含酸量高,导致其加工利用程度低。该研究以山楂片加工残次品为原料,采用微波烤制技术,研究不同烤制程度对加工产品的总糖、总酸及黄酮的影响,并在此基础上,研究不同配...

赵立伟 宋大有... 《饮料工业》 2019年02期 期刊

关键词: 山楂 / 烤香型 / 饮料 / 加工程度

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