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紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管  CNKI文献

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等性能 .有源区面积为 16 mm× 17mm的二极...

宁宝俊 张太平... 《半导体学报》 2002年02期 期刊

关键词: PIN光电二极管 / 暗电流 / 光谱响应

下载(375)| 被引(11)

金属硅化物—硅功率肖特基二极管  CNKI文献

本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特...

宁宝俊 高玉芝... 《北京大学学报(自然科学版)》 1993年01期 期刊

关键词: 金属硅化物 / 肖特基二极管

下载(188)| 被引(5)

Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性  CNKI文献

报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好...

张锦文 闫桂珍... 《半导体学报》 2002年04期 期刊

关键词: AlGaN/GaN / HFET / 输出特性

下载(217)| 被引(39)

平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试  CNKI文献

为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量...

李成波 袁坚... 《核技术》 2006年04期 期刊

关键词: PIN / 结电容 / 漏电流 / 量子效率

下载(450)| 被引(9)

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性  CNKI文献

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之...

张锦文 张太平... 《半导体学报》 2001年06期 期刊

关键词: AlGaN / Ti/Al/Ti/Au / 欧姆接触

下载(284)| 被引(16)

PIN光电探测器光学补偿  CNKI文献

半导体探测器有不同的材料和不同的结构,可以探测不同的粒子及辐射。硅基的PIN光电二极管的光谱特性是380-1100纳米。但是,靠近紫外的波段,硅光电二极管的灵敏度就比较差了。为了提高硅器件紫波段的量子效率,可以在探...

张太平 张录... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十七次学术会议论文集 2004-09-01 中国会议

关键词: 高能粒子探测器 / 量子效率 / 增透膜

下载(74)| 被引(0)

离子注入PIN辐射探测器性能测试  CNKI文献

利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μmm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并...

陈鸿飞 邹积清... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十七次学术会议论文集 2004-09-01 中国会议

关键词: 半导体探测器 / 空间粒子辐射探测 / 噪声 / 分辨率

下载(44)| 被引(0)

平面工艺Si位置灵敏探测器的研制  CNKI文献

描述了采用平面工艺研制的基于Si多条的一维和两维位置灵敏探测器的结构、工作原理、制备工艺技术和性能测试结果以及在空间探测方面的应用前景。

谭继廉 靳根明... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十九次学术会议论文集... 2006-10-01 中国会议

关键词: 平面工艺 / Si多条 / 位置灵敏探测器

下载(44)| 被引(0)

硅多条探测器的研制和初步应用  CNKI文献

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗...

谭继廉 靳根明... 《高能物理与核物理》 2005年04期 期刊

关键词: 硅多条探测器 / 微电子工艺 / 电特性 / 探测特性

下载(150)| 被引(11)

新型空间带电粒子探测器的研制  CNKI文献

描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性。探测器的厚度为100μm,300μm,4.50μm和1000μm,灵敏面积为Φ8和Φ12mm等不同规格。在全耗尽偏压下,得到典型的反向漏电流范围为0...

谭继廉 靳根明... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十八次学术会议论文集... 2005-10-01 中国会议

关键词: 平面工艺 / 离子注入

下载(49)| 被引(0)

硅条带探测器阵列在空间粒子探测中的应用  CNKI文献

本文简要介绍了由北京大学微电子所研制的硅条带探测器阵列的基本特点,并在实验室中测量了硅条带探测器阵列的一些基本参数和特性。了解其结电容和条间串扰对于它在空间粒子探测中的应用具有十分重要的意义。

邹鸿 陈鸿飞... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十八次学术会议论文集... 2005-10-01 中国会议

关键词: 硅条带探测器 / 空间粒子探测

下载(24)| 被引(0)

PIN探测器及配套ASIC成果介绍  CNKI文献

本文简单介绍了北京大学最近几年研制成功的硅PIN结构的光探测器、带电粒子探测器及位置测量探测器

田大宇 陈中建... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十九次学术会议论文集... 2006-10-01 中国会议

关键词: PIN / 探测器 / 全耗尽电压 / 量子效率

下载(47)| 被引(0)

离子注入PIN辐射探测器的测试分析  CNKI文献

利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300~1000μm共5种厚度的离子注入型P IN辐射探测器,选择其中300、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较。结果表明:北...

陈鸿飞 邹积清... 《核电子学与探测技术》 2005年05期 期刊

关键词: PIN辐射探测器 / 噪声 / 分辨率

下载(176)| 被引(6)

反应溅射氮化钨薄膜特性研究  CNKI文献

本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中...

张利春 高玉芝... 《半导体学报》 1990年05期 期刊

关键词: 反应溅射 / 氮化钨 / 扩散势垒

下载(315)| 被引(6)

一种厚耗尽层Si探测器的研制  CNKI文献

本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm)。测量结果显示,对~(207)Bi内转换电子源...

谭继廉 卢子伟... 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册) 2008-07-01 中国会议

关键词: 厚耗尽层 / 叠层结构 / Si探测器 / 平面工艺

下载(24)| 被引(0)

硅多条探测器的研制  CNKI文献

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作...

谭继廉 靳根明... 第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 2004-11-01 中国会议

关键词: 硅多条探测器 / 微电子工艺 / 电特性 / 漏电流

下载(17)| 被引(0)

硅多条两维位置灵敏探测器的研制  CNKI文献

描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制各工艺技术及性能测试初步结果。这种探测器的灵敏面积为50×50 mm2。P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm, 宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为10...

谭继廉 靳根民... 第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册) 2006-10-01 中国会议

关键词: 平面工艺 / 硅多条 / 两维位置灵敏 / 探测器

下载(16)| 被引(0)

敏感层100μm硅探测器的研制  CNKI文献

简单介绍了微机械工艺硅薄层探测器的制备过程,对Φ12mm、敏感层100μm的硅PTN探测器进行了测试,包括PIN结全耗尽电压、噪声、能量分辩,漏电流等,并与ORTEC公司同类产品进行了比较,证明该探测器接近或达到国外同类产品...

田大宇 宁宝俊... 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十八次学术会议论文集... 2005-10-01 中国会议

关键词: 硅探测器 / ICP

下载(39)| 被引(0)

PIN型辐射探测器的并联使用  CNKI文献

由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PI...

施伟红 陈鸿飞... 《核电子学与探测技术》 2007年05期 期刊

关键词: 空间高能电子探测 / 半导体探测器 / 锂漂移探测器 / PIN探测器

下载(174)| 被引(4)

一种厚耗尽层Si探测器的研制  CNKI文献

本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm)。测量结果显示,对~(207)Bi内转换电子源...

谭继廉 卢子伟... 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(1) 2008-07-01 中国会议

关键词: 厚耗尽层 / 叠层结构 / Si探测器 / 平面工艺

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