砷化镓低温气相外延的研究  CNKI文献

本文研究了GaAs低温气相外延过程和评价了外延层的质量。对低温外延时的表面形貌,生长速率,剩余杂质浓度,电子迁移率,深能级杂质和纵向浓度分布进行了讨论,并与高温外延进行了比较。结果表明,低温外延是制备较高质量外...

彭瑞伍 孙裳珠 ... 《电子学报》 1978年01期 期刊

GaAs气相掺杂外延的研究  CNKI文献

本文用Ga-AsCl_3-H_2体系在改进的外延设备上生长了GaAs掺杂外延片.文中研究了GaAs气相掺杂过程并评价了外延层的质量.对掺杂外延时的表面形貌、生长速率、电子迁移率、击穿电压、横向浓度均匀性、纵向浓度分布、缺陷...

彭瑞伍 孙裳珠... 《金属学报》 1980年03期 期刊

砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备  CNKI文献

本文介绍了Ga-AsCl_3-H_2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度≤0.4μm和浓度为1—2&#...

彭瑞伍 孙裳珠... 《电子科学学刊》 1983年01期 期刊

THE SULFUR INCORPORATION AND THE GROWTH OF GaAs SUBMIC...  CNKI文献

Submicrometer epilayers have been grown in Ga-AsCl_3-H_2 system using elemental sulfur as adopant.The mechanism of sulfur incorporation was discussed on the basis of surface adsorption.Ithas been sho...

彭瑞伍 孙裳珠... 《Journal of Electronics(China)》 1984年01期 期刊