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高温工作寿命试验技术研究  CNKI文献

介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下...

娄书礼 《固体电子学研究与进展》 1993年02期 期刊

关键词: 可靠性评价 / 厚膜电路 / 导电胶

下载(43)| 被引(2)

振荡器的高可靠性研究  CNKI文献

1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高...

娄书礼 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年02期 期刊

关键词: 振荡器 / 有源器件 / 测试数据 / 电子设备

下载(51)| 被引(1)

微波器件失效率快速试验方法研究  CNKI文献

介绍了微波低噪声GaAs FET恒定应力加速寿命试验结果,沟道温度T_(ch)为145℃时,平均寿命MTTF为9.64×10~6h,最主要的失效模式是源漏饱和电流I_(DSS)退化降低。建立了表征GaAs FET稳定性的敏感参数I_(DSS)的退化模...

娄书礼 龚朝阳... 《固体电子学研究与进展》 1993年04期 期刊

关键词: 可靠性 / 失效分析 / 退化模型 / 敏感参数

下载(44)| 被引(0)

GaAsFET辐射退化研究  CNKI文献

低噪声GaAsFET和功率GaASFET经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下,其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流I_(DSS)的退化降低,据此提出了I_(DSS)退化失效与快中子注量ф_...

娄书礼 陶有迁 《核电子学与探测技术》 1995年01期 期刊

关键词: 辐射试验 / 退化失效 / 中子注量

下载(16)| 被引(0)

10GHz GaAs雪崩注入锁定放大器MTBF已达180,000小时  CNKI文献

任何电气产品除必须具有先进的电气性能外,还必须具有高的可靠性水平.在一定意义上讲,稳定可靠更为重要.为了了解南京固体器件研究所某些产品的可靠性水平,已对GaAs三厘米雪崩注入锁定放大器作了长期工作寿命试验.选择...

娄书礼 《固体电子学研究与进展》 1985年03期 期刊

关键词: 注入锁定放大器 / 输出功率 / 雪崩 / 工作寿命试验

下载(17)| 被引(0)

8千兆赫无人值守中继机抗雷电冲击的性能研究  CNKI文献

本文简介了大自然雷电的场强、能量以及频谱、模拟雷电冲击源的现状.叙述了8千兆赫砷化镓低噪声场效应放大器和8千兆赫广播电视接力系统中使用的无人值守中继机抗雷电冲击的试验,并讨论了试验结果.

娄书礼 《固体电子学研究与进展》 1985年04期 期刊

关键词: 雷电冲击 / 千兆赫 / 无人值守 / 中继机

下载(5)| 被引(0)

高可靠X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器  CNKI文献

南京电子器件研究所研制生产的X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器全部使用国产元器件,其关键的有源器件和高Q介质分别是所内研制生产的WC58型GaAs FET和ZST介质陶瓷。使用的其它元器件从各厂购得。 介质谐振器振荡...

娄书礼 《固体电子学研究与进展》 1988年02期 期刊

关键词: 平均无故障工作时间 / 理论预测 / 可靠性验证 / MTBF

下载(26)| 被引(0)

电磁兼容试验及试验方法研究  CNKI文献

介绍了电磁敏感度(EMS)试验系统的筹建及自制设备的研制过程, 对试验方法进行了一些探讨。

陶有迁 娄书礼 《光电子技术》 1999年03期 期刊

关键词: 电磁兼容 / EMS系统

下载(165)| 被引(2)

家用视频设备中射频调制器的质量研究  CNKI文献

介绍了目前国内部分射频调制器的结构,通过测试试验对射频调制器的质量进行了分析研究,对一些已用于或尚未用于射频调制器的器件进行试验研究。

陶有迁 娄书礼 《电视技术》 2000年03期 期刊

关键词: 射频调制器 / 质量分析 / 声表面波器件

下载(22)| 被引(1)

全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性研究  CNKI文献

本文简介了全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性设计和可靠性预测.叙述了这一中继机所用元器件的可靠性优选方法.最后给出无人值守中继机现场运行试验结果:MTBF≥60000小时.

刘鸿雁 娄书礼 《固体电子学研究与进展》 1986年01期 期刊

关键词: 中继机 / MTBF / 可靠性预测 / 可靠性设计

下载(8)| 被引(0)

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