作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
手机远见搜索 |设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

1310nm垂直腔面发射激光器设计与研制  CNKI文献

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)是光纤通信系统中应用的重要光源之一,1310nm VCSEL器件能够满足当前大容量、千兆比特速率城域网的需求。然而,它的发展却受到了InP基分布布拉格...

劳燕锋 导师:吴惠桢 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) 2007-05-01 博士论文

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 分布布拉格反射镜 / 晶片直接键合 / 结构设计

下载(1135)| 被引(6)

直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究  CNKI文献

通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3....

劳燕锋 吴惠桢 《物理学报》 2005年09期 期刊

关键词: 晶片直接键合 / 界面 / 红外吸收光谱

下载(99)| 被引(10)

键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器  CNKI文献

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经...

劳燕锋 曹春芳... 《半导体学报》 2008年11期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 晶片直接键合 / 隧道结

下载(119)| 被引(4)

用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计  CNKI文献

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长...

劳燕锋 吴惠桢 《稀有金属》 2004年03期 期刊

关键词: 半导体激光器 / 量子阱结构 / 应变 / 光增益谱

下载(146)| 被引(6)

亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器  CNKI文献

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐...

劳燕锋 曹春芳... 《物理学报》 2009年03期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 晶片直接键合 / 应变补偿多量子阱

下载(97)| 被引(2)

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器  CNKI文献

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合...

劳燕锋 曹春芳... 《半导体技术》 2008年S1期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 应变补偿多量子阱 / 晶片键合

下载(82)| 被引(0)

楔形Al薄膜的物理特性  CNKI文献

采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的扩散 ,形成了沉积在玻璃表面的楔形铝薄膜 ,并研究了它的结构和I V特性 .实验表明 ,楔形铝薄膜的斜率仅 10 - 6 — 10 - 7,具有与一般非平整薄膜不同的I V特性 ,其非平整...

陶向明 劳燕锋... 《物理学报》 2001年10期 期刊

关键词: 楔形铝薄膜

下载(52)| 被引(29)

长波长垂直腔面发射激光器研究  CNKI文献

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制...

谢正生 吴惠桢... 《物理》 2007年04期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器(VCSEL) / 布拉格反射镜(DBR) / 有源层 / 键合

下载(227)| 被引(8)

p型GaAs的远红外波段光学特性  CNKI文献

砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一,为了获得p型GaAs材料在远红外波段的光学特性,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长了掺Be的p型GaAs薄膜材料,其载流子浓度从1....

刘成 吴惠桢... 《光学学报》 2006年02期 期刊

关键词: 光学材料 / 光学常数 / 远红外反射光谱 / p型GaAs

下载(292)| 被引(8)

金属键合技术及其在光电器件中的应用  CNKI文献

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论...

谢正生 吴惠桢... 《激光与光电子学进展》 2007年01期 期刊

关键词: 光电器件 / 金属键合 / 工艺 / 表征

下载(391)| 被引(4)

离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理  CNKI文献

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理...

吴惠桢 曹萌... 2006年全国功能材料学术年会专辑 2006-07-01 中国会议

关键词: 半导体 / 刻蚀 / 应变多量子阱 / 损伤

下载(48)| 被引(0)

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器  CNKI文献

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO_2/TiO_2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键...

劳燕锋 曹春芳... 第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议... 2008-11-30 中国会议

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 应变补偿多量子阱 / 晶片键合

下载(22)| 被引(0)

干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究  CNKI文献

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了...

曹萌 吴惠桢... 《物理学报》 2007年02期 期刊

关键词: 干法刻蚀 / 应变多量子阱 / 光致发光谱 / 损伤

下载(194)| 被引(3)

立方相Mg_xZn_(1-x)O纳米晶体薄膜的物理特性  CNKI文献

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得...

吴惠桢 梁军... 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ 2004-09-01 中国会议

关键词: 立方相MgxZn1-xO薄膜 / 微结构 / 光学特性

下载(16)| 被引(0)

ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤  CNKI文献

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀...

曹萌 吴惠桢... 《半导体学报》 2006年01期 期刊

关键词: 干法刻蚀 / 应变量子阱 / 光致发光谱 / 损伤

下载(215)| 被引(3)

长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺  CNKI文献

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获...

刘成 曹春芳... 《半导体光电》 2007年05期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 欧姆接触 / 比接触电阻 / 快速退火

下载(130)| 被引(4)

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用  CNKI文献

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明...

谢正生 吴惠桢... 《金属学报》 2007年03期 期刊

关键词: 低温金属键合 / 垂直腔面发射激光器 / 反射谱 / 光致荧光谱

下载(182)| 被引(3)

气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构  CNKI文献

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制...

刘成 吴惠桢... 《功能材料与器件学报》 2005年02期 期刊

关键词: 垂直腔面发射激光器 / 气态源分子束外延 / 光电特性

下载(77)| 被引(7)

AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用  CNKI文献

应用高掺杂pn结和异质结能带理论,计算了AlInAs/InP异质隧道结的电学特性,发现其性能优于AlInAs和InP同质隧道结,并得出了掺杂浓度与隧道电流的关系曲线。采用气态源分子束外延(GSMBE)设备生长了面电阻率约为10-4Ω.c...

刘成 曹春芳... 《半导体光电》 2009年05期 期刊

关键词: 异质隧道结 / 垂直腔面发射激光器 / 光电特性

下载(135)| 被引(1)

离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理  CNKI文献

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是...

吴惠桢 曹萌... 《功能材料信息》 2006年03期 期刊

关键词: 半导体 / 刻蚀 / 应变多量子阱 / 损伤

下载(253)| 被引(1)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势

热门学者(按发文篇数排行)

相关机构

时间的形状