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分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究  CNKI文献

利用二次离子质谱(SIMS)和电化学剖面C-V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现,外延生长Siδ掺杂GaAs时,随着生长温度的升高,Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽,表...

钟战天 吴冰清... 《真空科学与技术》 1996年06期 期刊

关键词: 分子束外延 / δ掺杂 / 二次离子质谱 / 电化学剖面C-V方法

下载(69)| 被引(2)

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器  CNKI文献

本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能.探测器具有50个GaAs量子阱和Al0.28Ga0.72As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管.探测器的主要...

钟战天 周小川... 《半导体学报》 1994年03期 期刊

关键词: 红外探测器 / 工作温度 / IR / 探测器

下载(112)| 被引(0)

P_2S_5/NH_4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究  CNKI文献

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P_2S_5/NH_4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P_2S_5/NH_4OH溶液...

钟战天 罗文哲... 《物理学报》 1992年04期 期刊

关键词: GaAs / 钝化处理 / 光学性能 / 电学

下载(24)| 被引(5)

光电子发射产额谱仪  CNKI文献

光电子发射产额谱仪(PYS)是高灵敏度和高能量分辨率的表面分析仪器,能够探测半导体带隙和价带顶附近精细电子态,直接提供此处满表面态的分布形状和精确测量功函数等半导体重要参量。总之,PYS提供了新的信息,尤其作为半...

钟战天 《真空科学与技术》 1986年02期 期刊

关键词: 光电子发射谱 / 电子 / 态密度 / 轻子

下载(67)| 被引(1)

Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附  CNKI文献

利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0...

钟战天 王大文... 《半导体学报》 1990年02期 期刊

关键词: Si(100)-As表面 / 钝化效应 / 氧吸附 / 粘附系数

下载(32)| 被引(1)

分子束外延GaAs/Si异质结的生长和研究  CNKI文献

使用自己研制的带有MBE系统的表面联合谱仪进行生长和研究GaAs/Si异质结。Si衬底经过重复氧化和去氧的化学腐蚀,随后热处理得到清洁完整的表面。Si上外延GaAs薄膜的生长过程是由低温、慢生长速率生成缓冲层和通常同质...

钟战天 杨鸿展... 《真空科学与技术》 1989年02期 期刊

关键词: 异质结 / 衬底 / 半导体结 / 基片

下载(53)| 被引(0)

高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器  CNKI文献

探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V...

钟战天 周小川... 《半导体学报》 1992年08期 期刊

关键词: 红外探测器 / 长波长 / IR / 探测器

下载(43)| 被引(1)

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究  CNKI文献

采用x射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES) 对Au/a-Si:H界面进行了研究。实验表明,Au/a-Si:H界面最初形成过程是以金属团生长形式出现,当Au淀积量超过一定值后,Au和Si开始互扩散并进行化学反应,结果形成Au-Si互溶...

钟战天 王大文... 《物理学报》 1991年02期 期刊

关键词: 淀积 / 俄歇电子能谱 / Au/a-Si / 光电子能谱

下载(40)| 被引(0)

迁移增强外延GaAs/Al/GaAs材料生长及其俄歇分析  CNKI文献

在配有液N2冷却As快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延(MEE)方法于低温下生长了GaAs/Al/GaAs结构材料。俄歇测量结果表明,用MEE方法生长的材料中Al和GaAs之间的互扩散大大减小,在...

钟战天 崔玉德... 《功能材料与器件学报》 1996年02期 期刊

关键词: 迁移增强外延 / 俄歇分析 / 高指数晶面

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Al_xGa_(1-x)As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究  CNKI文献

利用二次离子质谱(SIMS)系统地研究了生长温度,Al组份x值和As_4压强对Siδ掺杂Al_xGa_(1-x)As的SIMS深度剖面,Si原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现,在外延生长Siδ掺...

钟战天 吴冰清... 《功能材料与器件学报》 1995年01期 期刊

关键词: 分子束外延 / 平面掺杂 / 二次离子质谱

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Al_xGa_(1-x)P固溶体XPS和AES研究  CNKI文献

采用XPS和AES对AI_xGa_(1-x)P(0≤x≤0.64)进行了研究。实验结果表明,组分比x增加时磷的2p结合能减小,价带顶退缩。同时鉴别和澄清了GaP微弱俄歇峰。

钟战天 邢益荣... 《物理学报》 1985年10期 期刊

关键词: 价带 / 固溶体 / 能带结构 / GaP

下载(19)| 被引(1)

热处理GaAs表面氧吸附研究  CNKI文献

采用俄歇电子谱研究了热处理GaAs(110)表面与氧的相互作用。热处理GaAs表面吸附氧后,Ga俄歇峰向低能移动表明氧与表面Ga原子形成化学键。通过氧俄歇峰强度与氧暴露量的关系和吸附动力学分析,我们得知740℃热处理表面和...

钟战天 《真空科学与技术》 1989年02期 期刊

关键词: 暴露量 / GaAs / 氧吸附 / 单原子层

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带有光电子发射产额谱的表面分析联合谱仪  CNKI文献

一、引言我们研制的表面分析联合谱仪具有LEED,RHEED,AES和光电子发射产额谱仪(PYS)等表面分析器,并带有分子束外延设备以便进行亚原子层金属淀积和生长各种理想表面。这是非常适合半导体表面和界面研究的新型设备。本...

钟战天 《真空科学与技术》 1987年02期 期刊

关键词: 光电子发射 / 光子数 / 外光电效应 / 谱仪

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MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应  CNKI文献

利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处...

钟战天 陈宗圭... 《半导体学报》 1986年02期 期刊

关键词: GaAs / Al / MBE / AI/GaAs

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Al/a-Si:H界面反应和热处理行为光发射研究  CNKI文献

利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al在表面上形成金属Al层.此外,真空热处理加剧...

钟战天 王大文... 《半导体学报》 1991年02期 期刊

关键词: Al/a-Si / H界面 / 光发射研究 / 界面形成过程和反应

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高灵敏度GaAs/AlGaAs多量子阱狭带红外探测器  CNKI文献

在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好...

钟战天 周小川... 《真空科学与技术》 1992年06期 期刊

关键词: 红外探测器 / 量子阱 / 长波长 / 器件

下载(25)| 被引(0)

GaAs_(1-x)P_x固溶体的光电子谱  CNKI文献

采用XPS测量了GaAs_1-xPx固溶体的芯能级和价带光电子谱。实验结果表明,根据Ga-3d,As-3d和P-2p的发射峰强度可以定量地确定组分比x值。随着磷含量的增加,Ga-3d能级的结合能和等离子振荡损失峰的能量增加,同时价带顶线...

钟战天 金维新... 《稀有金属》 1987年03期 期刊

关键词: 固溶体 / 光电子谱 / 能级 / 原子

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闭管热生长GaAs自体氧化膜的研究  CNKI文献

为了发展GaAs材料的电子器件和集成电路,必须解决怎样在GaAs表面上生长高质量的自体氧化膜的问题。目前,很多人都在这方面进行研究。

钟战天 邢益荣... 《稀有金属》 1989年01期 期刊

关键词: 氧化膜 / nm / GaAs / 表面层

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GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器材料研究  CNKI文献

本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀...

杜全钢 钟战天... 《半导体学报》 1994年02期 期刊

关键词: 多量子阱红外探测器 / 暗电流 / 子带跃迁 / GaAs

下载(114)| 被引(1)

表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响  CNKI文献

利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于...

王大文 钟战天... 《真空科学与技术》 1990年04期 期刊

关键词: 真空淀积 / 热退火 / Au/GaAs / 表面处理

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