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垂直MOS场效应晶体管(VMOSFET)的功率频率前景  CNKI文献

和所有多子器件一样,MOSFET没有热崩和二次击穿,本身就有潜力能作为一个高频功率器件。虽然小信号用MOSFET早已大量生产和应用,而MOS高频功率FET却很晚才出现。这是为什么呢?主要受两方面限制,一是在经典的水平沟道MO...

杨培根 章征龙 《半导体情报》 1978年04期 期刊

关键词: MOS / 功率器件 / 功率场效应管 / VMOSFET

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低失真单片宽带放大器  CNKI文献

叙述了采用800兆赫集成电路工艺实现增益为20分贝和带宽为250兆赫的一种单片宽带放大器。在零分贝毫瓦信号电平下,二次和三次互相调制失真度分别低于-55和-42分贝(整个频带)。匹配端阻抗75欧姆,电压驻波比小于1.7。讨...

K.H.Chan 章征龙 《半导体情报》 1978年05期 期刊

关键词: 宽带放大器 / 低失真 / 单片

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在印制线路板上直接安装芯片载体的方法  CNKI文献

已经正确地评价了在印刷线路板(PWB)上直接安装芯片载体的方法。评价的结果,多达200条引线的芯片载体能适用于高可靠性关系,这种芯片载体在拐角处设置了排列适当的加厚型衬垫,使用了干膜抗蚀层并配备了合适形状的CC引...

Masanobu Itoh 章征龙 《半导体情报》 1983年06期 期刊

关键词: 芯片载体 / 焊料 / 大尺寸 / 焊接材料

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液相外延生长高质量多层(AlGa)As-GaAs的新方法  CNKI文献

为生长多层半导体,如Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结构层,研究了一种新的液相外延生长方法。这种方法有两个特点:一是附加GaAl蒸气到生长气氛中;另一是用新舟结构使多层液相外延生长能在不摩擦生长熔体的情况下进行。用...

Yoshiji Horikoshi 章征龙 《半导体情报》 1979年04期 期刊

关键词: 液相外延生长 / 照片 / 热损伤 / 液相外延

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扩散杂质分布对VMOS和DMOS器件的直流特性的影响  CNKI文献

为了研究杂质分布对器件性能的影响,同时制作了双扩散MOS(DMOS)和V形槽MOS(VMOS)晶体管。为了获得沟道的长度和峰值沟道掺杂浓度,变换了工艺参数。用两探针扩展电阻法测量杂质分布。DMOS器件横向杂质分布的性质是根据...

D.C.D'avanzo 章征龙 《半导体情报》 1978年03期 期刊

关键词: DMOS / VMOS / 沟道长度 / 器件模型

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混合微电路的互连技术  CNKI文献

制作混合微电路的最关键的工序之一是芯片电路与衬底电路的互连。几乎1/3的电路失效是因互连引起的,因此清楚地了解芯片与衬底的互连技术是很必要的。

William W.Staley 章征龙 《半导体情报》 1984年02期 期刊

关键词: 互连技术 / 衬底 / 芯片 / 互连

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